光刻技术

芯片制造四大基本工艺

芯片制造四大基本工艺包括：芯片设计、FPGA验证、晶圆光刻显影、蚀刻、芯片封装等，晶片制作过程最为复杂，需经过湿洗、光刻、 离子注入、干蚀刻、等离子冲洗...

2021-12-22 标签：芯片晶圆光刻技术 2.1万 0

光刻技术的发展史

集成电路的飞速发展有赖于相关的制造工艺光刻技术的发展,光刻技术是迄今所能达到的最高精度的加工技术。 集成电路产业是现代信息社会的基石。集成电路的发明使电...

2020-12-05 标签：集成电路光刻技术 1.4万 0

半导体光刻技术及其发展历程，一个详尽立体的光刻世界

对于采用不同设备制造相同制程IC的制造厂来说，其技术水平差异就会很突出，例如，有的厂商用EUV设备（光刻波长为13.5nm）才能做7nm芯片，而有的厂商...

2018-11-27 标签：集成电路半导体光刻技术 1.1万 0

一文让你深度了解光刻机

2019-05-08 标签：集成电路光刻技术 1.1万 0

中芯国际7nm、5nm工艺任重道远 获得美国供应许可

去年中芯国际被美国列入了实体清单，购买美国厂商的半导体设备及技术受到限制。今天业界消息称中芯国际已经获得了美国的许可，14nm及28nm等工艺可以恢复供应。

2021-03-02 标签：中芯国际光刻技术7nm 8674 0

7nm节点后光刻技术从DUV转至EUV，设备价值剧增

芯片行业从20世纪90年代开始就考虑使用13.5nm的EUV光刻（紫外线波长范围是10~400nm）用以取代现在的193nm。EUV本身也有局限，比如容...

2019-10-01 标签：摩尔定律光刻技术EUV 8299 0

集成电路的发展与其制造工艺─——光刻技术

光刻技术的进步使得器件的特征尺寸不断减小，芯片的集成度和性能不断提高。在摩尔定律的引领下,光学光刻技术经历了接触/接近、等倍投影、缩小步进投影、步进扫描...

2020-12-14 标签：集成电路控制系统光刻技术 7674 0

光刻技术是迄今所能达到的最高精度的加工技术

降低曝光光源的波长是光刻技术和设备的一个重要发展趋势。半个世纪以来随着光刻技术的发展,特征尺寸随之减小。在196O年代,半导体芯片制造商主要使用可见光作为光源。

2020-12-10 标签：集成电路半导体光刻技术 7295 0

2019年第一季度全球个人电脑出货量为5850万台，比2018年第一季度下降4.6%

昨天，台积电正式宣布了6nm(N6)工艺，在已有7nm(N7)工艺的基础上大幅度增强，号称可提供极具竞争力的高性价比，而且能加速产品研发、量产、上市速度。

2019-04-18 标签：台积电联想光刻技术 7242 0

光刻技术的原理及其难点分别是什么

光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光。

2022-09-13 标签：集成电路光刻技术EUV 6251 0

中科院回应5nm光刻技术突破ASML垄断：误读

近日，中国科学院官网上发布的一则研究进展显示，该团队研发的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，随后这被外界解读为，已经5nm ASML的垄断，对此相关人...

2020-12-02 标签：中科院光刻技术5nm 5742 0

光刻技术工艺及应用

简单的说用一定波长的波刻蚀材料就是光刻技术,集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形...

2011-09-05 标签：光刻技术 5664 0

三星半导体已经开始使用其7LPP制造工艺生产芯片

三星在其位于韩国华城的Fab S3生产7LPP EUV芯片。该公司每天可以在其ASML Twinscan NXE：3400B EUVL步进扫描系统和每个...

2018-10-22 标签：半导体三星电子光刻技术 5109 0

新思科技Fusion技术助力三星7LPP EUV工艺降低功耗、缩小面积并提高性能

新思科技设计事业部营销与商务开发副总裁Michael Jackson表示：“我们与三星的工具和参考流程合作重点在于使设计人员能够使用三星最新的EUV 7...

2018-07-05 标签：三星电子新思科技光刻技术 4460 0

国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收

2018-12-07 标签：光刻技术传感芯片 4130 0

光刻技术常见方法

光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状...

2011-09-05 标签：光刻技术 3952 0