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光刻胶

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光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

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光刻胶技术

顶层金属AI工艺的制造流程

顶层金属 AI工艺是指形成顶层金属 AI 互连线。因为 Cu很容易在空气中氧化，形成疏松的氧化铜，而且不会形成保护层防止铜进一步氧化，另外，Cu 是软金...

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刻蚀工艺评价的工艺参数以及如何做好刻蚀工艺

在本篇文章中，我们主要介绍刻蚀工艺评价的工艺参数以及如何做好刻蚀工艺。一、刻蚀工艺质量评价 1）刻蚀速率刻蚀速率是指在蚀刻过程中被去...

2024-11-15 标签：光刻胶刻蚀工艺 361 0

一文解读光刻胶的原理、应用及市场前景展望

光刻技术是现代微电子和纳米技术的研发中的关键一环，而光刻胶，又是光刻技术中的关键组成部分。随着技术的发展，对微小、精密的结构的需求日益增强，光刻胶的需求...

2024-11-11 标签：集成电路光刻技术光刻胶 431 0

半导体蚀刻工艺科普

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光刻胶的使用过程与原理

本文介绍了光刻胶的使用过程与原理。

2024-10-31 标签：芯片半导体光刻胶 348 0

双层胶工艺是什么

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微型晶体管怎么做出来的

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光刻胶旋转涂胶的原因

光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。

2024-04-30 标签：光刻胶 769 0

一文读懂半导体工艺制程的光刻胶

光刻胶按照种类可以分为正性的、负性的。正胶受到紫外光照射的部分在显影时被去除，负胶受到紫外光曝光的地方在显影后被留下。

2024-04-24 标签：光刻胶半导体工艺 2891 0

用于2.5D与3D封装的TSV工艺流程是什么？有哪些需要注意的问题？

上图是TSV工艺的一般流程。TSV，全名Through-Silicon Via，又叫硅通孔工艺。

2024-04-17 标签：CMP TSV 光刻胶 1579 0

半导体晶圆的制造流程

在自然界中，获取成本最低的半导体就是硅。而硅料的提取是熔炼砂子。提到这里可能有朋友想到“光伏电池片用的也是硅片”。

2024-04-16 标签：光伏电池光刻胶晶圆制造 850 0

请问3D NAND如何进行台阶刻蚀呢？

在3D NAND的制造过程中，一般会有3个工序会用到干法蚀刻，即：台阶蚀刻，channel蚀刻以及接触孔蚀刻。

2024-04-01 标签：NAND 光刻胶 898 0

SU-8光刻胶起源、曝光、特性

在紫外光照射下，三芳基碘盐光敏剂被激活，释放活性碘离子。这些活性碘离子与SU-8光刻胶中的丙烯酸酯单体反应，引发单体之间的交联反应，导致SU-8光刻胶在...

2024-03-31 标签：光刻胶 4088 0

XeF2和SF6可以相互替换吗？XeF2和SF6对硅腐蚀的区别？

我们知道含F的XeF2和SF6都被当做腐蚀硅的气体，XeF2常被作为各向同性腐蚀硅的气体，而SF6常和CF4搭配作为硅各向异性腐蚀的气体，那么XeF2和...

2024-03-21 标签：光刻胶 938 0

芯片制造工艺：光学光刻-掩膜、光刻胶

制造集成电路的大多数工艺区域要求100级（空气中每立方米内直径大于等于0.5μm的尘埃粒子总数不超过约3500）洁净室，在光刻区域，洁净室要求10级或更高。

2024-03-20 标签：集成电路晶圆芯片制造 2577 0

关于光刻胶的关键参数介绍

与正光刻胶相比，电子束负光刻胶会形成相反的图案。基于聚合物的负型光刻胶会在聚合物链之间产生键或交联。未曝光的光刻胶在显影过程中溶解，而曝光的光刻胶则保留...

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探讨三种超构器件表面的加工方法

超构表面是近年来出现一种新型的光学器件，也被称为超构器件。

2024-03-19 标签：半导体激光器光刻胶 710 0

芯片制造工艺为什么用黄光?

光刻是集成电路（IC或芯片）生产中的重要工艺之一。简单地说，就是利用光掩模和光刻胶在基板上复制电路图案的过程。

2024-03-18 标签：集成电路芯片制造光刻 2406 0

电子束光刻的参数优化及常见问题介绍

本文从光刻图案设计、特征尺寸、电镜参数优化等方面介绍电子束光刻的参数优化，最后介绍了一些常见问题。

2024-03-17 标签：继电器探测器 SEM 1047 0

SAW滤波器工艺流程及工作原理图

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2024-03-07 标签：滤波器光刻胶 SAW滤波器 3842 0

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