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标签 > 光刻胶
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
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光刻机的制造是一项复杂而精密的工艺,需要高度专业化的技术和设备。它涉及到许多关键的工艺步骤和组件,如光学系统、曝光光源、掩模制作等。
从下图中可以看出结合使用XeF2气流和氯离子轰击的刻蚀速率最高,明显高于这两种工艺单独使用时的刻蚀速率总和。
薄沉积的使用可以使抗蚀剂硬化,厚沉积的使用可以缩小临界尺寸(Critical Dimensions:CD)。
合包与分包(pack and unpack,PAU)工艺被用于制备通孔阵列。与其他双重曝光工艺不同,PAU工艺并不直接提供额外的图形分辨率。
光刻胶的组成:树脂(resin/polymer),光刻胶中不同材料的粘合剂,给与光刻胶的机械与化学性质(如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂,感光剂...
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