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光刻胶

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光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

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光刻胶技术

光伏刻蚀工艺流程光刻蚀刻加工原理是什么

光刻蚀（Photolithography）是一种在微电子和光电子制造中常用的加工技术，用于制造微细结构和芯片元件。它的基本原理是利用光的化学和物理作用，...

2023-08-24 标签：太阳能电池光刻胶刻蚀 4405 0

半导体材料概述

半导体材料作为半导体产业链上游的重要环节，在芯片的生产制造过程中起到关键性作用。根据芯片制造过程划分，半导体材料主要分为基体材料、制造材料和封装材料。其...

2023-08-14 标签：芯片半导体晶圆 1783 0

半导体之ICT技术先通孔的过程详解

对于先通孔的过程，首先沉积通孔刻蚀停止层(ESL)的层间介质(ILD)、低k电介质、沟槽ESL、低k电介质的和覆盖层(下图(a))。

2023-08-14 标签：CMP 光刻胶 ICT技术 1916 0

高数值孔径EUV的技术要求是什么

今年的大部分讨论都集中在 EUV 的下一步发展以及高数值孔径 EUV 的时间表和技术要求上。ASML战略营销高级总监Michael Lercel表示，目...

2023-08-11 标签：EUV 光刻胶光刻设备 557 0

光刻技术的发展如何弯道超车或者换道超车

三十年来，半导体掩模技术基本保持不变，掩模的制作是在可变成形机上进行的，这些机器将可变元件限制在 45 度角。随着功能缩小并变得更加复杂，电子束和多束掩...

2023-08-01 标签：光刻 EUV 光刻胶 498 0

干法刻蚀工艺介绍硅的深沟槽干法刻蚀工艺方法

第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH)，即多次交替循环刻蚀和淀积工艺，刻蚀工艺使用的是SF6气体，淀积工艺使用的是C4F8气体

2023-07-14 标签：TCP SSP 电感耦合 5895 0

***谁发明出来的 ***有多难制造

光刻机的制造是一项复杂而精密的工艺，需要高度专业化的技术和设备。它涉及到许多关键的工艺步骤和组件，如光学系统、曝光光源、掩模制作等。

2023-07-04 标签：集成电路光学系统光刻机 1.4万 0

制造集成电路的版图基本知识

在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。

2023-06-25 标签：集成电路 CMOS MOSFET 8585 0

重点阐述湿法刻蚀

光刻工艺后，在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形，下一步就是刻蚀。

2023-06-08 标签：集成电路逻辑电路晶圆 6299 0

化学放大型光刻胶的作用原理

感光速度:即光刻胶受光照射发生溶解速度改变所需的最小能量，感光速度越快，单位时间内芯片制造的产出越高，经济效益越好，另-方面，过快的感光速度会对引起工艺...

2023-05-25 标签：光刻胶半导体工艺 1060 0

采用光刻胶牺牲层技术改善薄膜电路制备工艺

改善之后的工艺与之前最大的区别在于使用光刻胶充当溅射的掩膜，在电镀之前将电路图形高精度的制备出来，不再进行湿法刻蚀，避免了侧腐蚀对线条精度和膜基结合力的...

2023-05-16 标签：电感光刻胶薄膜电路 2108 0

芯片的制作为什么要用半导体？Wafer晶圆半导体制造工艺

所谓“半导体”，是一种导电性能介于“导体”和“绝缘体”之间的物质总称。导体能导电，比如铁铜银等金属，绝缘体不导电，比如橡胶。芯片的制作为什么要用半导体？

2023-05-15 标签：晶圆半导体制造光刻胶 8212 0

一文讲透光刻胶及芯片制造关键技术

在集成电路制造领域，如果说光刻机是推动制程技术进步的“引擎”，光刻胶就是这部“引擎”的“燃料”。

2023-05-13 标签：集成电路 pcb 芯片制造 2089 0

全面解读光刻胶工艺制造流程

光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，...

2023-05-11 标签：集成电路三极管印刷电路板 5615 0

光刻技术的种类介绍

根据维基百科的定义，光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所...

2023-04-25 标签：光刻半导体器件光刻胶 1718 0

光刻技术的详细工序

清洗硅片（Wafer Clean）清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少针孔和其它缺陷，提高光刻胶黏附性基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

2023-04-25 标签：硅片光刻机光刻胶 5519 0

半导体制造中的等离子体刻蚀过程

从下图中可以看出结合使用XeF2气流和氯离子轰击的刻蚀速率最高，明显高于这两种工艺单独使用时的刻蚀速率总和。

2023-02-23 标签：半导体晶圆光刻胶 4421 0

浅谈DRAM制造工艺及微缩挑战

薄沉积的使用可以使抗蚀剂硬化，厚沉积的使用可以缩小临界尺寸（Critical Dimensions：CD）。

2023-01-09 标签：电容器 DRAM 光刻胶 1424 0

PCB的加工步骤了解

芯板，中间是介质，两面是铜箔，就是双层板时用的介质板，比如ROGERS 4350B等。

2022-11-01 标签：pcb 光刻胶 2008 0

关于PCB通孔及尺寸要求

合包与分包（pack and unpack，PAU）工艺被用于制备通孔阵列。与其他双重曝光工艺不同，PAU工艺并不直接提供额外的图形分辨率。

2022-10-24 标签：pcb 光刻胶 5632 0

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