光刻胶

使用全湿法去除Cu BEOL中的光刻胶和BARC

这项研究首先集中于去除直接沉积在硅衬底上的193纳米厚的光刻胶和BARC层，使用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和椭圆偏振光谱(SE)来评估去除效率，在第...

2022-05-30 标签：半导体光刻胶 1402 0

光刻前GaAs表面处理提高光刻胶附着力

摘要 几个旨在补救的实验结果在喷湿化学品时，光刻胶粘附失效报道了InGaP/GaAs NPN hbt的刻蚀。 几个确定了影响黏附和黏附的因素采用实验设计...

2022-03-07 标签：半导体光刻胶 1346 0

光刻胶层的去除方法丨结果与讨论

摘要 湿化学和高速固体 CO2 气溶胶预处理的组合用于从图案化的硅结构中去除离子注入的抗蚀剂。顶部抗蚀剂表面通过重离子注入（1x1016 As atom...

2022-02-28 标签：半导体光刻胶 1148 0

《华林科纳-半导体工艺》光刻胶剥离清洗

摘要 提供了清洁覆盖半导体衬底的金属区域的方法。文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁从金属区域去除材料的方法包括加热金属区域，由包含氢气和二氧化碳的气体...

2022-02-24 标签：半导体光刻胶 1070 0

微泡对臭氧水去除光刻胶的影响报告

臭氧水中微气泡的存在显著提高了光刻胶的去除率，这是由于溶解臭氧浓度的升高和微气泡对自由基产生的直接影响。此外，臭氧微气泡溶液能够有效地去除高剂量离子植入...

2022-02-11 标签：臭氧测量光刻胶 668 0

改善去除负光刻胶效果的方法报告

摘要 我们华林科纳提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂，选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度...

2022-01-26 标签：清洗光刻胶 881 0

世人皆言光刻胶难，它到底难在哪里

来源： 果壳硬科技 1、光刻胶究竟是怎样一个行业？ 光刻胶，又称“光致抗蚀剂”，是光刻成像的承载介质，可利用光化学反应将光刻系统中经过衍射、滤波后的光信...

2022-01-20 标签：半导体光刻胶 1438 0

关于湿蚀刻中蚀刻剂扩散到深紫外光刻胶中的研究报告

引言 在许多集成电路制造步骤中，化学蚀刻仍然优于等离子体蚀刻。事实上，它能够实现更好的表面光滑度控制，这是获得足够的载流子迁移率至关重要的。在这些步骤中...

2022-01-18 标签：光刻光刻胶 539 0

显影剂温度对光刻胶溶解影响的新模型

引言 显影过程中显影剂溶液的温度会对抗蚀剂性能产生重大影响。速度随着温度以复杂的方式变化，通常导致“更快”的抗蚀剂工艺的反直觉结果。显影速率对剂量(或对...

2022-01-04 标签：溶液光刻胶 1679 0

在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成

引言 到目前为止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制，这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用显微技术、轮廓术和x光电子能谱...

2021-12-28 标签：蚀刻晶片光刻胶 881 0

杜邦和北京科华宣布展开战略合作

杜邦电子与工业事业部和北京科华微电子材料有限公司今日宣布开展一项合作计划，为中国集成电路芯片制造商提供高性能光刻材料。

2021-11-09 标签：集成电路发光二极管芯片制造 633 0

关于光刻的原理、光刻设备等知识点集合

最近光博会上看到一本关于光刻的小册子，里面有一点内容，分享给大家。 关于光刻的原理、光刻设备、光刻胶的种类和选择等。 开篇 光刻的原理 表面处理：一般的...

2021-10-13 标签：探测器光刻光刻胶 4617 0