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光刻

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光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。

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光刻技术

光刻技术的原理及发展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形...

2023-04-25 标签：芯片电子元件光刻 3155 0

如何加快5nm芯片良率，EUV光刻或是关键要素

先进 5nm 器件或先进封装的良率提升需要识别和去除从光刻到封装材料的关键缺陷，因此智能和快速的晶圆级检测必不可少。

2022-05-07 标签：光刻 EUV 2839 0

芯片制造的6个关键步骤

在智能手机等众多数码产品的更新迭代中，科技的改变悄然发生。苹果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技术成为可能。这些芯片是如何被制造出来的，其中又有哪...

2022-08-08 标签：晶圆芯片制造光刻 2825 0

半导体制造之光刻原理、工艺流程

光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一，是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成，是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化...

2023-10-09 标签：电路图光刻光刻机 2610 0

光伏电池测试标准有哪些光伏电池的分类有哪些

光伏电池可以根据不同的材料和工艺进行分类。以下是一些常见的光伏电池分类：　　1. 硅晶体太阳能电池：硅晶体太阳能电池是最常见和广泛应用的光伏电池类型...

2023-08-28 标签：太阳能电池光伏电池光伏 2597 0

一文详解湿法蚀刻和光刻工艺

本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(D...

2022-07-13 标签：光刻蚀刻晶片 2590 0

刻蚀机是干什么用的刻蚀机和光刻机的区别

刻蚀机的刻蚀过程和传统的雕刻类似，先用光刻技术将图形形状和尺寸制成掩膜，再将掩膜与待加工物料模组装好，将样品置于刻蚀室内，通过化学腐蚀或物理磨蚀等方式将...

2024-03-11 标签：芯片制造光刻光刻机 2461 0

光刻技术介绍几种常见的光刻方法

前烘就是在一定温度下，使胶膜里的溶剂缓慢地挥发出来，使胶膜干燥，并增加其粘附性和耐磨性。

2022-12-16 标签：mems 光刻 2289 0

DUV与EUV***的芯片加工流程详解

SSMB就产生了和FEL类似的“微聚束”，但是关键还加上了“稳态”。FEL不是稳态，电子团在波荡器里自由互相作用，最后发出强光完事。SSMB是让电子束在...

2023-09-22 标签：芯片芯片制造光刻 2207 0

EUV光刻技术优势及挑战

EUV光刻技术仍被认为是实现半导体行业持续创新的关键途径。随着技术的不断发展和成熟，预计EUV光刻将在未来继续推动芯片制程的进步。

2023-05-18 标签：光刻人工智能 EUV 2158 0

掩模工艺中硬烘培的操作方法及显影检验

硬烘培温度的上限以光刻胶流动点而定。光刻胶有像塑料的性质，当加热时会变软并可流动。当光刻胶流动时，图案尺寸便会改变。当在显微镜下观察光刻胶流动时，将会明...

2020-02-29 标签：晶圆光刻 1904 0

光刻中使用的掩模对准器曝光模式

本Inseto知识库文档介绍了光刻中使用的掩模对准器曝光模式。

2022-07-21 标签：曝光模式光刻晶片 1862 0

IGBT芯片技术的发展

加工技术：IGBT芯片的加工技术包括晶圆制备、掺杂、光刻、腐蚀、沉积等方面。加工技术的发展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如，采用新型的晶圆制备技术，...

2023-02-20 标签：晶圆光刻 igbt芯片 1843 0

助力高级光刻技术：存储和运输EUV掩模面临的挑战

随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限，极紫外（EUV）光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于 7 纳米及更小的高级节点，EUV 光刻...

2019-07-03 标签：半导体光刻 EUV 1842 0

从制造端来聊聊——芯片是如何诞生的

光刻胶层透过掩模被曝光在紫外线之下，变得可溶，掩模上印着预先设计好得电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成每一层电路图形。这个原理和老式胶片曝光类似。

2023-04-20 标签：芯片晶圆光刻 1799 0

金属Cr详解

在光刻过程中，铬被用作掩膜版的关键材料。铬在紫外光下表现出高光学密度，可以有效阻挡光线。在石英基板上通过PVD等方法均匀地沉积一层薄的铬，在其上涂覆一层...

2023-11-20 标签：半导体光刻金属 1783 0

EUV光源四种产生方式及对比分析

随着光刻技术的进步，光刻光源的曝光波长已经减小很多。早期投影式光刻技术的曝光波长为436nm、365nm （分别来自于汞弧灯可见光g线和紫外光i线），所...

2023-06-01 标签：集成电路光刻 EUV 1687 0

一文解析DARM工艺流程

DRAM（动态随机存取存储器）的工艺流程包括多个关键步骤。

2024-04-05 标签：电容晶圆存储单元 1671 0

GaAs的湿法蚀刻和光刻工艺

本文主要阐述我们华林科纳在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素...

2022-07-12 标签：光刻蚀刻晶片 1606 0

半导体光刻的基础知识

光刻是在基板表面形成复杂设计或结构的过程。光刻技术已经作为一种制造技术使用了数百年。它最初是为印刷机开发的，现在已经成功了作为一种被称为光刻的微细制造技...

2022-07-21 标签：半导体制造技术光刻 1603 0

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　　基准电压是指传感器置于0℃的温场（冰水混合物），在通以工作电流（100μA）的条件下，传感器上的电压值。实际上就是0点电压。其表示符号为V（0），该值出厂时标定，由于传感器的温度系数S相同，则只要知道基准电压值V（0），即可求知任何温度点上的传感器电压值，而不必对传感器进行分度。
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