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标签 > 光刻
光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔,以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。
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EUV 光是指用于微芯片光刻的极紫外光,涉及在微芯片晶圆上涂上感光材料并小心地将其曝光。这会将图案打印到晶圆上,用于微芯片设计过程中的后续步骤。
OLED制程。①OLED阳极。②蒸镀OLED器件。蒸镀和传统OLED不一样,没有这么密的mask,需要先白光,再加滤光。③封装,即薄膜封装层。④CF彩色...
2023-12-04 标签:OLED光刻Micro OLED 1466 0
集成电路越做越小是多个因素共同作用的结果,包括技术进步、成本和效率考虑、功耗和散热需求,以及新应用的推动,为电子设备的发展提供了更多的可能性和机遇。
黄光的波长远离UV范围,因此不会引起光刻胶的意外曝光。黄光灯通常不含有紫外线,从而保护光敏材料免受不必要的曝光。
其全流程涉及了从 EUV 光源到反射镜系统,再到光掩模,再到对准系统,再到晶圆载物台,再到光刻胶化学成分,再到镀膜机和显影剂,再到计量学,再到单个晶圆。
从 2D 扩展到异构集成和 3D 封装对于提高半导体器件性能变得越来越重要。近年来,先进封装技术的复杂性和可变性都在增加,以支持更广泛的设备和应用。在本...
该专利提供一种光刻装置,该光刻装置通过不断改变相干光形成的干涉图样,使得照明视场在曝光时间内的累积光强均匀化,从而达到匀光的目的,进而也就解决了相关技术...
BPR 是一种技术缩放助推器,可进一步缩放标准单元高度并减少 IR 压降。它是埋在晶体管下方的金属线结构——部分在硅衬底内,部分在浅沟槽隔离氧化物内。
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