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光刻

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光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。

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光刻技术

EUV光刻技术优势及挑战

EUV光刻技术仍被认为是实现半导体行业持续创新的关键途径。随着技术的不断发展和成熟，预计EUV光刻将在未来继续推动芯片制程的进步。

2023-05-18 标签：光刻人工智能 EUV 2732 0

光刻技术的种类介绍

根据维基百科的定义，光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所...

2023-04-25 标签：光刻半导体器件光刻胶 1613 0

光刻技术的原理及发展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形...

2023-04-25 标签：芯片电子元件光刻 3719 0

光刻技术简述

光刻技术是将掩模中的几何形状的图案转移到覆盖在半导体晶片表面的薄层辐射敏感材料（称为抗蚀剂）上的过程

2023-04-25 标签：半导体光刻光刻工艺 1637 0

计算光刻技术有多重要？计算光刻如何改变2nm芯片制造？

光刻是在晶圆上创建图案的过程，是芯片制造过程的起始阶段，包括两个阶段——光掩膜制造和图案投影。

2023-04-25 标签：gpu 芯片制造光刻 1114 0

昂图科技的极大尺寸照射场高分辨率光刻系统克服了FOPLP图形形变挑战

异构集成技术集成了多个来自不同制程与功能各异的芯片来达到更优越的效能。在大尺寸的面板级封装中，现存的步进式曝光机有着最大单一照射场（Exposure F...

2023-04-23 标签：芯片封装分辨率 1254 0

从制造端来聊聊——芯片是如何诞生的

光刻胶层透过掩模被曝光在紫外线之下，变得可溶，掩模上印着预先设计好得电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成每一层电路图形。这个原理和老式胶片曝光类似。

2023-04-20 标签：芯片晶圆光刻 2414 0

3D晶圆键合装备的工艺过程及研发现状

设备由MEMS领域应用转化到3D集成技术领域，表现出高对准精度特点。大多数对准、键合工艺都源于微机电系统（MEMS）制造技术，但应用于3D集成的对准精度...

2023-04-20 标签：集成电路晶圆光刻 4872 0

研究透视：当然之极Science-极紫外超透镜

超快光谱学和半导体光刻领域皆依赖于非常短的波长，往往在极紫外extreme ultraviolet，EUV波段。然而，大多数光学材料强烈地吸收该波长范围...

2023-04-12 标签：半导体光刻 EUV 1009 0

EUV 光刻制造全流程设计解析

其全流程涉及了从 EUV 光源到反射镜系统，再到光掩模，再到对准系统，再到晶圆载物台，再到光刻胶化学成分，再到镀膜机和显影剂，再到计量学，再到单个晶圆。

2023-03-07 标签：芯片晶圆光刻 1526 0

IGBT芯片技术的发展

加工技术：IGBT芯片的加工技术包括晶圆制备、掺杂、光刻、腐蚀、沉积等方面。加工技术的发展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如，采用新型的晶圆制备技术，...

2023-02-20 标签：晶圆光刻 igbt芯片 2069 0

十大步骤详解芯片光刻的流程

在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人N...

2023-02-16 标签：芯片集成电路半导体 5506 0

一文解析IMEC 发布芯片缩放路线图

功率墙：将功率引入芯片并从芯片封装中提取热量变得越来越具有挑战性，因此我们必须开发改进的功率传输和冷却概念。

2023-02-07 标签：晶体管光刻半导体设备 665 0

光刻技术介绍几种常见的光刻方法

前烘就是在一定温度下，使胶膜里的溶剂缓慢地挥发出来，使胶膜干燥，并增加其粘附性和耐磨性。

2022-12-16 标签：mems 光刻 2496 0

摩尔定律究竟所言何物？摩尔定律的诞生史

摩尔定律究竟所言何物？它何以如此成功？它是否论证了不可阻挡的科技发展趋势？或者，它是否只是反映了工程学历史上的一段独特时期？正是在这段时间里，凭借硅晶的...

2022-12-02 标签：继电器逻辑电路摩尔定律 798 0

浅谈背面供电网络关键技术

BPR 是一种技术缩放助推器，可进一步缩放标准单元高度并减少 IR 压降。它是埋在晶体管下方的金属线结构——部分在硅衬底内，部分在浅沟槽隔离氧化物内。

2022-11-29 标签：晶体管光刻有源器件 1255 0

华为EUV光刻新专利可解决相干光无法匀光问题

该专利提供一种光刻装置，该光刻装置通过不断改变相干光形成的干涉图样，使得照明视场在曝光时间内的累积光强均匀化，从而达到匀光的目的，进而也就解决了相关技术...

2022-11-23 标签：华为光刻 EUV 1316 0

华为EUV光刻解决相干光无法匀光问题

该照明系统3包括视场复眼镜31(field flyeye mirror，FFM)、光阑复眼镜 32(diaphragm flyeye mirror，PF...

2022-11-21 标签：照明系统光刻极紫外光刻 882 0

半导体光刻的工艺过程（3）

涂布后，所得抗蚀剂膜将含有 20-40% 重量的溶剂。后应用烘烤过程，也称为软烘烤或预烘烤，包括在旋涂后通过去除多余的溶剂来干燥光刻胶。减少溶剂含量的主...

2022-08-29 标签：半导体工艺光刻 840 0

光刻工艺的8个基本步骤光刻机结构及工作原理

摩尔定律 Intel创始人之一摩尔1964年提出，大约每隔12个月： 1）。芯片能力增加一倍、芯片价格降低- -倍; 2）。广大用户的福音、行业人...

2022-08-29 标签：光刻光刻机 1.1万 0

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