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光刻

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光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。

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光刻技术

芯片架构计算任务改变对计算架构的需求

渐进式改进与性能的巨大飞跃相结合，虽然这些改进将计算和分析能力提升到全新水平，但也需要全新的权衡考虑。这些变革的核心在于高度定制的芯片架构，芯片是在最先...

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2023-12-14 标签：集成电路电容 cpu 1098 0

ASML携全景光刻解决方案亮相进博会

第六届进博会于近日在上海国家会展中心正式收官，ASML2023进博之旅也圆满落幕! 今年，ASML继续以“光刻未来，携手同行”为主题，携全景光刻解决方案...

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极紫外 (EUVL) 光刻设备技术应用分析

欧洲极紫外光刻（EUVL）技术利用波长为13.5纳米的光子来制造集成电路。产生这种光的主要来源是使用强大激光器产生的热锡等离子体。激光参数被调整以产生大...

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摩尔定律究竟所言何物？摩尔定律的诞生史

摩尔定律究竟所言何物？它何以如此成功？它是否论证了不可阻挡的科技发展趋势？或者，它是否只是反映了工程学历史上的一段独特时期？正是在这段时间里，凭借硅晶的...

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华为EUV光刻解决相干光无法匀光问题

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半导体制造光刻工艺制作流程

金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。MOSFET体积越小，单个 MOSFET的耗电量...

2023-06-13 标签：MOSFET 光刻 921 0

半导体制造领域光刻胶的作用和意义

光刻是半导体加工中最重要的工艺之一，决定着芯片的性能。光刻占芯片制造时间的40%-50%，占其总成本的30%。光刻胶是光刻环节关键耗材，其质量和性能与电...

2023-10-26 标签：芯片 pcb 芯片制造 885 0

半导体光刻的工艺过程（3）

涂布后，所得抗蚀剂膜将含有 20-40% 重量的溶剂。后应用烘烤过程，也称为软烘烤或预烘烤，包括在旋涂后通过去除多余的溶剂来干燥光刻胶。减少溶剂含量的主...

2022-08-29 标签：半导体工艺光刻 883 0

光学光刻技术有哪些分类光刻技术的原理

光学光刻是通过广德照射用投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上，通过光的照射，光刻胶的成分发生化学反应，从而生成电路图。限...

2023-10-24 标签：芯片集成电路芯片制造 877 0

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之前的小讲堂有介绍过，光刻过程就好比用照相机拍照，将掩模版上的芯片设计版图曝光到晶圆上，从而制造出微小的电路结构。ASML光刻机的镜片组使用极其精密的加...

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抗蚀剂涂层方法的详细说明

　　在基材上涂上光刻胶。这是一种具有很高的吞吐量和潜力同质性。旋涂的原理是典型地，几毫升光刻胶被分配到以1000转/分的速度旋转的基板(通常4000 r...

2022-07-26 标签：光刻硅片涂层 782 0

用于3D封装的穿硅通过最后光刻的覆盖性能（上）

华林科纳对包括背照式图像传感器、中介层和 3D 存储器在内的消费产品相关设备的需求正在推动使用硅通孔 (TSV) [1] 的先进封装。 TSV 处理的各...

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详解无臭氧抗蚀剂剥离工艺

近年来，光掩模抗蚀剂剥离和清洁技术的发展主要是由于行业需要通过从这些过程中消除硫酸和氢氧化铵来防止表面雾霾的形成。因此，传统的 SPM (H2SO4 +...

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一文解析IMEC 发布芯片缩放路线图

功率墙：将功率引入芯片并从芯片封装中提取热量变得越来越具有挑战性，因此我们必须开发改进的功率传输和冷却概念。

2023-02-07 标签：晶体管光刻半导体设备 744 0

CLL技术应用于新材料和系统的制造和研究

化学提升光刻(CLL)是一种减法软光刻技术，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)标记来绘制功能分子的自组装单层，应用范围从生物分子图案到晶体管制造。在此我们...

2022-06-28 标签：半导体光刻蚀刻 734 0

全面解析***结构及工作原理

光刻与光刻机 ➢对准和曝光在光刻机(Lithography Tool)内进行。 ➢其它工艺在涂胶显影机(Track)上进行。光刻机结...

2023-12-19 标签：控制系统 IC设计测量系统 727 0

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2023-08-07 标签：光刻电子束 717 0

用于3D封装的穿硅通过最后光刻的覆盖性能（下）

本研究通过检查 TSV 光刻后的 DSA 光学计量可重复性，然后将该光学配准数据与最终的电气配准数据进行比较，来仔细检查图像放置性能。

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