光刻

帕克推出新型半导体工具Park NX-Hybrid WLI

2022年5月20日，美国总统拜登在韩国总统尹锡悦陪同下视察了三星半导体工厂扩建的最新产线，三星半导体的工作人员向总统们介绍了其产品的部署进展时，介绍了...

2022-06-24 标签：半导体光刻 1084 0

光刻胶剥离工艺的基本原理

虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的，但是在剥离过程中，材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本文章描述了...

2022-05-12 标签：工艺光刻蚀刻 2549 0

采用双层抗蚀剂法去除负光刻胶

本文提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂，选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量...

2022-03-24 标签：工艺参数光刻 936 0

使用湿化学物质去除光刻胶和残留物

在未来几代器件中，去除光刻胶和残留物变得非常关键。在前端线后离子注入（源极/漏极、扩展），使用PR来阻断部分电路导致PR基本上硬化并且难以去除。在后端线...

2022-03-24 标签：电路光刻器件 1164 0

通过臭氧微气泡进行半导体晶圆的光刻胶去除实验

半导体的清洗在制造工序中也是非常重要的。特别是光刻胶的去除是最困难的，一般使用硫酸和过氧化氢混合的溶液(SPM)等。但是，这些废液的处理是极其困难的，与...

2022-03-24 标签：半导体制造光刻 1040 0

晶片清洗、阻挡层形成和光刻胶应用

什么是光刻？光刻是将掩模上的几何形状转移到硅片表面的过程。光刻工艺中涉及的步骤是晶圆清洗；阻挡层的形成；光刻胶应用；软烤；掩模对准；曝光和显影；和硬烤。

2022-03-15 标签：工艺光刻晶片 1072 0

光刻技术是什么,有哪些作用

光刻是在掩模中转移几何形状图案的过程，是覆盖在表面的一层薄薄的辐射敏感材料(称为抗辐射剂) ，也是一种半导体晶片。 图5.1简要说明了光刻用于集成电路制...

2022-03-09 标签：晶圆工艺光刻 5549 0

洁净室光刻工艺石墨烯生物传感器的制作

我们华林科纳研究了用于电解门制造的洁净室工艺用于生物传感的晶片尺度石墨烯场效应晶体管。 我们的制造该工艺克服了两个主要问题:去除石墨烯图案化后的表面残留...

2022-03-07 标签：传感器工艺光刻 655 0

用于微系统的先进光刻胶技术

对用于微加工微系统(MST)产品的高纵横比光致抗蚀剂的发展的日益增长的兴趣导致了许多商业上可获得的光致抗蚀剂产品的可用性。本文详细描述了三种抗蚀剂的应用...

2022-03-04 标签：芯片半导体光刻 781 0

光刻胶剥离工艺—《华林科纳-半导体工艺》

摘要 新的全湿剥离工艺在去除高度注入的光刻胶时不需要干等离子体灰化工艺，同时保持低缺陷水平和至少相当于记录工艺的高产量性能。灰化步骤的消除减少了不希望的...

2022-03-01 标签：半导体光刻 1608 0

光刻中接触孔和沟槽的双重构图策略

摘要 一种光刻图案化方法包括在基板上形成第一抗蚀剂图案，第一抗蚀剂图案在基板上包括多个开口；在基板上以及在第一抗蚀剂图案的多个开口内形成第二抗蚀剂图案，...

2022-03-01 标签：半导体光刻 567 0

超临界二氧化碳处理技术在光刻技术中的应用

作为半导体器件和MEMS微加工技术基础的光刻技术中，显影和清洗等湿法工艺是必不可少的。在本稿中，介绍了能够定量评价超临界CO2处理对微细光刻胶图案―基板...

2022-02-25 标签：半导体mems光刻 974 0

关于非晶半导体中的光刻工艺的研究报告

引言 在光刻过程中，光敏材料根据其上的辐照量改变其在某些蚀刻剂中的溶解度。在高分辨率光刻材料的薄层中形成的浮雕图案可以作为集成光学或集成电子器件的组件使...

2022-01-19 标签：半导体光刻 478 0

关于湿蚀刻中蚀刻剂扩散到深紫外光刻胶中的研究报告

引言 在许多集成电路制造步骤中，化学蚀刻仍然优于等离子体蚀刻。事实上，它能够实现更好的表面光滑度控制，这是获得足够的载流子迁移率至关重要的。在这些步骤中...

2022-01-18 标签：光刻光刻胶 531 0

关于光刻的原理、光刻设备等知识点集合

最近光博会上看到一本关于光刻的小册子，里面有一点内容，分享给大家。 关于光刻的原理、光刻设备、光刻胶的种类和选择等。 开篇 光刻的原理 表面处理：一般的...

2021-10-13 标签：探测器光刻光刻胶 4584 0