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击穿电压

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击穿电压技术

被保护电路的正常工作电压高于TVS二极管的击穿电压会损坏TVS吗？答案出乎意料

在电路正常工作情况下，TVS二极管应该处于截止状态，即TVS的额定反向关断电压VRM应大于被保护电路的最高工作电压，但是我们有时候会发现在一些电路中TV...

2024-12-16 标签：保护电路 TVS TVS二极管 463 0

TVS二极管可以并联使用吗

TVS二极管的主要作用是保护电子设备免受瞬时过电压或浪涌电压的损害。这些瞬时过电压通常由电气干扰、雷击、电气开关操作等因素引起。TVS二极管通过其优异的...

2024-12-05 标签：二极管 TVS 击穿电压 195 0

TVS二极管该如何正确的选用

TVS二极管是一种用于保护敏感电子设备免受瞬态电压冲击（如雷击、静电放电等）损坏的器件。在现代电子设备中，TVS二极管的正确选用是确保电路可靠性和稳定性...

2024-08-29 标签：二极管 TVS 击穿电压 382 0

二极管击穿电压是最大值还是有效值

二极管击穿电压是指二极管在反向偏置下，电流突然增大，导致二极管损坏的电压值。最大值（Peak Value）：最大值是指在一个周期内，电压或电流的最大瞬...

2024-08-08 标签：二极管电流半导体材料 843 0

气体放电管怎样选型

一、GDT参数选择步骤关于GDT的选型上海雷卯EMC小哥引用“AC220V线路进行2kV线间和4kV线对地的过电压防护”案例来阐述GDT的选型。1.续流...

2024-08-02 标签：击穿电压气体放电管 gdt 413 0

影响绝缘击穿电压的因素有哪些

绝缘击穿电压是衡量绝缘材料或系统在多高电压下会发生破坏性放电的一个重要指标。影响绝缘击穿电压的因素众多，包括材料特性、环境条件、设计参数等。以下详细分析...

2024-06-09 标签：电容器击穿电压电场 2020 0

电容器击穿的特征是什么

电容器击穿是指电容器的介质层失去绝缘能力，导致电流突然大幅增加的现象。了解电容器击穿的特征有助于正确使用电容器，并在设计电路时采取适当的预防措施。以下是...

2024-06-09 标签：电容器电子元件击穿电压 2059 0

电容器击穿分为哪几类

电容器是电子电路中至关重要的组件之一，它储存和释放电能，用于平滑电流、滤波、耦合信号、定时等功能。然而，电容器在运行过程中可能会遇到击穿现象，即其绝缘材...

2024-06-09 标签：电容器电子设备击穿电压 1592 0

PN结发生齐纳击穿的原因是什么？

PN结发生齐纳击穿是一种特殊的物理现象，它在特定的条件下发生，允许电流在低于雪崩击穿电压的情况下流过PN结。

2024-05-29 标签：PN结击穿电压载流子 1147 0

CP，FT，WAT都是与芯片的测试有关，他们有什么区别呢？如何区分？

CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。

2024-05-09 标签：晶圆芯片封装击穿电压 2717 0

浅析IGBT成为热门的技术原因及应用

近年IGBT这个专业名词非常的热。电子、半导体、汽车、能源、电力、控制系统等行业，好像都涉及到了这个名词。

2024-04-12 标签：半导体导通电阻 IGBT 1017 0

12V系统车灯驱动电源口浪涌过压防反接防护方案详解

从图中可知，方案针对车灯驱动电路电源输入口的浪涌过压防反接防护。在车载12V系统中，电源线上面的瞬态浪涌主要来源于抛负载。

2024-04-07 标签：TVS二极管驱动电路电源线 1652 0

电源设计中电容的工作原理各类电源中电容器的正确选用规则

电源往往是我们在电路设计过程中最容易忽略的环节。作为一款优秀的设计，电源设计应当是很重要的，它很大程度影响了整个系统的性能和成本。

2024-03-22 标签：电容器电源设计变换器 4.6万 0

求一种1.5手机USB端口静电浪涌保护方案

方案优点：本方案采用2级防护,节约空间，提供大浪涌器件前级保护,适合国际市场。后级采用DFN1006-3双路器件防静电，满足IEC61000-4-2，接...

2024-03-18 标签：ESD TVS USB端口 465 0

TVS二极管规格书中的工作电压、击穿电压和箝位电压怎么灵活使用呢

在TVS二极管的规格书中，工作电压、击穿电压和箝位电压，带回扫 TVS，低内阻TVS，这些参数，怎么灵活使用呢?

2024-03-07 标签：TVS二极管击穿电压 1297 0

稳压二极管的主要参数和注意事项！

稳定电压：稳压二极管在电路中处于反向击穿状态下，输出的电压值称为稳定电压。不同型号的稳压二极管具有不同的稳定电压值，其稳定电压值会在一定范围内波动。

2024-01-30 标签：二极管稳压二极管电磁干扰 2227 0

ESD器件的工作原理？CMOS I/O上的内部ESD保护实现

静电保护器件（ESD）是由一个或多个 TVS 晶粒采用不同的电路拓扑制成具有特定功能的多路或单路 ESD 保护器件。

2024-02-17 标签：CMOS ESD保护击穿电压 8109 0

氮化镓的发展难题及技术突破盘点

同为第三代半导体材料，氮化镓时常被人用来与碳化硅作比较，虽然没有碳化硅发展的时间久，但氮化镓依旧凭借着禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、饱和电子漂移速度...

2024-01-10 标签：半导体氮化镓 MOCVD 1967 0

变压器的绝缘—线圈绝缘介绍

变压器绝缘结构是变压器中非常重要的组成部分，它能够有效地隔离高压和低压部分，保证变压器的正常运行。

2023-12-22 标签：绝缘电阻击穿电压漏电流 3182 0

变压器局部放电的产生原理和后果

局部放电是指电气设备的内部局部地区发生的放电现象，其注意在变压器的工作中产生，尤其是高压的变压器中。

2023-12-13 标签：击穿电压局部放电变压器 1544 0

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