击穿电压

IGBT的物理结构模型—PIN&MOS模型（3）

这里需要注意的是，载流子电流为零并不意味着载流子浓度为零，反之亦然。对于PIN1结构，因为阳极和阴极的多子浓度远大于少子浓度，所以可以忽略少子电流；

2023-12-01 标签：IGBTMOSPN结 758 0

芯片的几个重要测试环节-CP、FT、WAT

半导体生产流程由晶圆制造，晶圆测试，芯片封装和封装后测试组成。而测试环节主要集中在CP（chip probing）、FT（Final Test）和WAT...

2023-12-01 标签：半导体晶圆芯片封装 6077 0

一文了解IGBT的极限值

在文件数据表中，按照IGBT 模块（IGBT，二极管，壳体，温度传感器等）的各个组成部分别给出它们的极限值。

2023-12-01 标签：二极管晶体管击穿电压 1530 0

基于碰撞电离率模型的Miller公式S参数拟合分析

我们应用简单的Fulop模型对平行平面结进行了分析，对复杂的Chynoweth模型进行了化简，由化简的公式可得碰撞电离率积分和外加电压之间存在一定的关系。

2023-11-27 标签：二极管PN结击穿电压 1052 0

基于碰撞电离率的平行平面结及晶闸管研究

功率半导体器件设计的基础是平行平面结，结的击穿与体内载流子的碰撞电离密切相关，本次研究的重点结构是晶闸管，而晶闸管的阻断与开启都与体内载流子的运动有关。

2023-11-27 标签：晶闸管击穿电压MATLAB仿真 2.0万 0

PN结曲率效应的产生及其对击穿电压的影响

在我们现有的功率半导体器件中，PN结占据了极其重要的地位，其正向阻断能力的优劣直接决定着功率半导体器件的可靠性及适用范围。

2023-11-24 标签：PN结击穿电压功率半导体 1535 0

UIS测试是什么？雪崩能量对实际应用的影响

UIS：英文全称Unclamped Inductive Switching，中文译为非嵌位感性负载开关过程。

2023-11-24 标签：MOSFETUIS击穿电压 8202 0

功率二极管噪声特性

根据实际电参数指标要求，在25℃室温情况下，当测试电流IR=5μA时，器件反向重复峰值电压（VRRM）需高于1200V。

2023-07-12 标签：功率二极管电阻器单晶硅电池 371 0

高频小功率晶体管设计

产品发射区结构设计为梳状结构。晶体管版图中发射区半宽度选择为30μm。

2023-07-05 标签：串联电阻晶体管击穿电压 671 0

齐纳二极管的特性简介及设计案例

齐纳二极管（Zener diode）又叫稳压二极管，也是一种特殊用途二极管，但由于齐纳二极管的是如此之重要，内容又比较多，所以这里单独拉出来作为一个小节讲。

2023-02-07 标签：二极管电路稳压二极管 2226 0

有源钳位吸收器电路设计与数字实现方式

随着MOSFET击穿电压额定值的增大，导通电阻也会增大。在这样场景中如何消除同步整流器上的电压尖峰和振铃，另外有源-钳位方案优势有哪些？

2019-01-15 标签：MOSFET有源钳位电流吸收器 0 0

击穿电压是什么_击穿电压的工作原理是什么

本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工作原理以及介绍了影响介电击穿强度的因素，最后介绍了电压击穿仪器使用时的注意事项。

2018-04-03 标签：击穿电压 6.0万 0