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刻蚀工艺

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刻蚀工艺技术

刻蚀工艺评价的工艺参数以及如何做好刻蚀工艺

在本篇文章中，我们主要介绍刻蚀工艺评价的工艺参数以及如何做好刻蚀工艺。一、刻蚀工艺质量评价 1）刻蚀速率刻蚀速率是指在蚀刻过程中被去...

2024-11-15 标签：光刻胶刻蚀工艺 399 0

Bosch刻蚀工艺的制造过程

Bosch刻蚀工艺作为微纳加工领域的关键技术，对于HBM和TSV的制造起到了至关重要的作用。

2024-10-31 标签：工艺 BOSCH 刻蚀工艺 551 0

半导体芯片制造技术之干法刻蚀工艺详解

今天我们要一起揭开一个隐藏在现代电子设备背后的高科技秘密——干法刻蚀工艺。这不仅是一场对微观世界的深入探秘，更是一次对半导体芯片制造艺术的奇妙之旅。

2024-08-26 标签：芯片半导体刻蚀工艺 1392 0

半导体制造技术之刻蚀工艺

W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体，并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比，加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步，第一步是快速均匀地刻掉大部分W，...

2023-12-06 标签：半导体制造技术刻蚀工艺 7315 0

晶圆级封装工艺：溅射工艺和电镀工艺

溅射是一种在晶圆表面形成金属薄膜的物理气相沉积(PVD)6工艺。如果晶圆上形成的金属薄膜低于倒片封装中的凸点，则被称为凸点下金属层(UBM，Under ...

2023-10-20 标签：半导体晶圆封装工艺 9603 0

芯片制造的刻蚀工艺科普

在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是...

2023-09-24 标签：半导体晶圆制程工艺 2588 0

碳化硅功率半导体工艺流程

首先，以高纯硅粉和高纯碳粉为原料生长SiC，通过物理气相传输（PVT）制备单晶第二，使用多线切割设备切割SiC，晶体切成薄片，厚度不超过1毫米 ...

2023-09-06 标签：功率半导体光刻胶碳化硅 1350 0

刻蚀工艺主要分为哪几种类型刻蚀的目的是什么？

PVP可以在刻蚀过程中形成一层保护性的膜，降低刻蚀剂对所需刻蚀材料的腐蚀作用。它可以填充材料表面的裂缝、孔洞和微小空隙，并防止刻蚀剂侵入。这样可以减少不...

2023-08-17 标签：芯片封装半导体器件刻蚀 6277 0

半导体前端工艺之刻蚀工艺

在半导体前端工艺第三篇中，我们了解了如何制作“饼干模具”。本期，我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点，在于如何移除...

2023-08-10 标签：半导体晶圆制造技术 1054 0

详解半导体前端工艺之沉积工艺

和在刻蚀工艺中一样，半导体制造商在沉积过程中也会通过控制温度、压力等不同条件来把控膜层沉积的质量。例如，降低压强，沉积速率就会放慢，但可以提高垂直方向的...

2023-07-02 标签：半导体制造工艺刻蚀工艺 3019 0

浅谈半导体制造中的刻蚀工艺

在上一篇文章，我们介绍了光刻工艺，即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步，将在晶圆上进行刻蚀工艺，以去除不必要的材料...

2023-06-28 标签：半导体等离子体晶圆 1385 0

半导体八大工艺之刻蚀工艺：干法刻蚀

在干法蚀刻中，气体受高频（主要为 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激发。在 1 到 100 Pa 的压力下，其平均自由程为几毫米到几厘米。

2023-06-20 标签：半导体晶圆蚀刻 1.2万 0

3D NAND刻蚀工艺的挑战及特点

中国科学院大学集成电路学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期集成电路学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设...

2023-06-12 标签：集成电路 NAND 3D 970 0

玻璃通孔工艺(TGV)简介

硅基转接板2.5 D集成技术作为先进的系统集成技术，近年来得到迅猛的发展。但硅基转接板存在两个的主要问题。

2023-05-06 标签：半导体嵌入式滤波器 4095 0

半导体图案化工艺流程之刻蚀简析

图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。

2023-04-28 标签：半导体晶圆刻蚀工艺 1631 0

半导体行业之刻蚀工艺介绍

压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。

2023-04-17 标签：半导体 IC设计刻蚀工艺 3198 0

半导体行业之刻蚀工艺技术

DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素...

2023-04-07 标签：集成电路晶体管 IC芯片 3783 0

多晶硅蚀刻工艺讲解

下图显示了Intel的第6代晶体管（6T）SRAM尺寸缩小时间表，以及多晶硅栅刻蚀技术后从90nm到22nm技术节点6TSRAM单元的SEM图像俯视视图...

2023-04-03 标签：多晶硅 MOSFET sram 4051 0

半导体刻蚀工艺简述(3)

对于湿法刻蚀，大部分刻蚀的终点都取决于时间，而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法，所以通常由操作员目测终点。湿法...

2023-03-06 标签：芯片半导体等离子体 2686 0

半导体刻蚀工艺简述(2)

严重的离子轰击将产生大量的热量，所以如果没有适当的冷却系统，晶圆温度就会提高。对于图形化刻蚀，晶圆上涂有一层光刻胶薄膜作为图形屏蔽层，如果晶圆温度超过1...

2023-03-06 标签：半导体等离子体晶圆 1472 0

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