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标签 > 刻蚀工艺
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严重的离子轰击将产生大量的热量,所以如果没有适当的冷却系统,晶圆温度就会提高。对于图形化刻蚀,晶圆上涂有一层光刻胶薄膜作为图形屏蔽层,如果晶圆温度超过1...
首先,以高纯硅粉和高纯碳粉为原料生长SiC,通过物理气相传输(PVT)制备单晶 第二,使用多线切割设备切割SiC,晶体切成薄片,厚度不超过1毫米 ...
在半导体前端工艺第三篇中,我们了解了如何制作“饼干模具”。本期,我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点,在于如何移除...
后段刻蚀工艺(Back-End of Line ETCH,简称BEOL ETCH)作为集成电路制造的重要环节,其复杂性与重要性毋庸置疑。 什么是...
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