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刻蚀工艺

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刻蚀工艺技术

实现高精度深硅刻蚀的方法

深反应离子刻蚀工艺，是实现高深宽比特性的重要方式，已成为微加工技术的基石。这项刻蚀技术在众多领域均得到了应用：1)MEMS电容式惯性传感器；2) 宏观设...

2020-10-09 标签：刻蚀工艺 1.5万 0

半导体八大工艺之刻蚀工艺：干法刻蚀

在干法蚀刻中，气体受高频（主要为 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激发。在 1 到 100 Pa 的压力下，其平均自由程为几毫米到几厘米。

2023-06-20 标签：半导体晶圆蚀刻 1.2万 0

半导体制造之刻蚀工艺详解

单晶硅刻蚀用来形成相邻晶体管间的绝缘区，多晶硅刻蚀用于形成栅极和局部连线。

2023-02-13 标签：多晶硅半导体晶体管 9699 0

晶圆级封装工艺：溅射工艺和电镀工艺

溅射是一种在晶圆表面形成金属薄膜的物理气相沉积(PVD)6工艺。如果晶圆上形成的金属薄膜低于倒片封装中的凸点，则被称为凸点下金属层(UBM，Under ...

2023-10-20 标签：半导体晶圆封装工艺 9617 0

半导体制造技术之刻蚀工艺

W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体，并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比，加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步，第一步是快速均匀地刻掉大部分W，...

2023-12-06 标签：半导体制造技术刻蚀工艺 7324 0

刻蚀工艺主要分为哪几种类型刻蚀的目的是什么？

PVP可以在刻蚀过程中形成一层保护性的膜，降低刻蚀剂对所需刻蚀材料的腐蚀作用。它可以填充材料表面的裂缝、孔洞和微小空隙，并防止刻蚀剂侵入。这样可以减少不...

2023-08-17 标签：芯片封装半导体器件刻蚀 6280 0

半导体制造工艺最强科普

半导体产业中，制造工工程被称为工艺（Process），理由是什么？虽然没有明确的答案，但与其说加工尺寸微小（目前是nm制程），不如说制造过程无法用肉眼看到所致。

2023-02-21 标签：半导体晶圆制造工艺 4498 0

玻璃通孔工艺(TGV)简介

硅基转接板2.5 D集成技术作为先进的系统集成技术，近年来得到迅猛的发展。但硅基转接板存在两个的主要问题。

2023-05-06 标签：半导体嵌入式滤波器 4097 0

多晶硅蚀刻工艺讲解

下图显示了Intel的第6代晶体管（6T）SRAM尺寸缩小时间表，以及多晶硅栅刻蚀技术后从90nm到22nm技术节点6TSRAM单元的SEM图像俯视视图...

2023-04-03 标签：多晶硅 MOSFET sram 4052 0

半导体行业之刻蚀工艺

等离子体图形化刻蚀过程中，刻蚀图形将影响刻蚀速率和刻蚀轮廓，称为负载效应。负载效应有两种:宏观负载效应和微观负载效应。

2023-02-08 标签：半导体晶圆刻蚀 3942 0

半导体行业之刻蚀工艺技术

DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素...

2023-04-07 标签：集成电路晶体管 IC芯片 3783 0

用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

2022-01-13 标签：多晶硅半导体晶圆 3357 0

半导体行业之刻蚀工艺介绍

压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。

2023-04-17 标签：半导体 IC设计刻蚀工艺 3199 0

详解半导体前端工艺之沉积工艺

和在刻蚀工艺中一样，半导体制造商在沉积过程中也会通过控制温度、压力等不同条件来把控膜层沉积的质量。例如，降低压强，沉积速率就会放慢，但可以提高垂直方向的...

2023-07-02 标签：半导体制造工艺刻蚀工艺 3022 0

半导体刻蚀工艺简述(3)

对于湿法刻蚀，大部分刻蚀的终点都取决于时间，而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法，所以通常由操作员目测终点。湿法...

2023-03-06 标签：芯片半导体等离子体 2686 0

芯片制造的刻蚀工艺科普

在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是...

2023-09-24 标签：半导体晶圆制程工艺 2589 0

等离子体刻蚀工艺简介

铝刻蚀可以使用多种不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...

2023-02-17 标签：PVD ICP CVD 2352 0

碳化硅在碱性溶液中的阳极刻蚀

引言人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数，可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域，例...

2022-01-10 标签：半导体 SiC 碳化硅 2123 0

半导体刻蚀工艺简述(1)

等离子体最初用来刻蚀含碳物质，例如用氧等离子体剥除光刻胶，这就是所谓的等离子体剥除或等离子体灰化。等离子体中因高速电子分解碰撞产生的氧原子自由基会很快与...

2023-03-06 标签：半导体等离子体晶圆 2116 0

半导体图案化工艺流程之刻蚀简析

图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。

2023-04-28 标签：半导体晶圆刻蚀工艺 1634 0

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