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刻蚀

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刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻［1］相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。

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刻蚀技术

揭秘半导体制造全流程（下篇）

在今天的推文中，我们将继续介绍最后三个步骤：互连、测试和封装，以完成半导体芯片的制造。

2022-08-01 标签：晶圆半导体制造刻蚀 3867 0

n型多孔硅刻蚀时间的效应分析

引言硅在历史上一直是电子产品的主要材料，而光电子领域的工作几乎完全依赖于GaAs和磷化铟等ⅲ-ⅴ族化合物材料。这种材料系统二分法的主要原因是硅的间接带...

2022-03-25 标签：半导体刻蚀 3619 0

半导体制造之光刻原理、工艺流程

光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一，是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成，是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化...

2023-10-09 标签：电路图光刻光刻机 3535 0

浅谈芯片制程工序中片内&片间均匀性的定义和计算

均匀性是衡量工艺在晶圆上一致性的一个关键指标。比如薄膜沉积工序中薄膜的厚度；刻蚀工序中被刻蚀材料的宽度，角度等等，都可以考虑其均匀性。

2023-11-01 标签：晶圆光刻半导体工艺 3510 0

用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

2022-01-13 标签：多晶硅半导体晶圆 3400 0

离子注入技术的优点和应用

离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制（见下表）。例如，掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立控制，因为浓度和结深都与扩散的温度和时间有关。离子注...

2023-05-08 标签：半导体工艺硅晶圆 3181 0

晶片湿法刻蚀方法

硅的碱性刻蚀液：氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，晶片加工中，会用到强碱作表面腐蚀或减薄，器件生产中，则倾向于弱碱，如SC1清洗晶片或多晶...

2023-06-05 标签：多晶硅晶片刻蚀 3107 0

湿式蚀刻过程的原理是什么

湿式蚀刻过程的原理是利用化学溶液将固体材料转化为液体化合物，选择性非常高，因为所使用的化学物质可以非常精确地适应于单个薄膜。对于大多数溶液的选择性大于1...

2022-04-07 标签：工艺刻蚀 3031 0

采用三种刻蚀方法制备黑硅材料

本文采用飞秒激光蚀刻法、深反应离子蚀刻法和金属催化化学蚀刻法制备了黑硅，研究发现，在400~2200nm的波长内，光的吸收显著增强，其中飞秒激光用六氟化...

2022-04-06 标签：半导体晶圆刻蚀 2997 0

伟大的工程之芯片制造

纵观整个制造业，芯片的制造流程可以说是最复杂的之一，这项点石成金术可分为八个大步骤，如下图所示，这些步骤又可细分为上百道工序。

2022-11-11 标签：晶圆芯片制造刻蚀 2966 0

为什么深硅刻蚀中C4F8能起到钝化作用？

对DRIE刻蚀，是基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与RIE刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。不同之处在于，两个射频源：将...

2024-01-14 标签：射频高能电子刻蚀 2899 0

晶片湿法刻蚀工艺详解

　　湿式蚀刻过程的原理是利用化学溶液将固体材料转化为液体化合物，选择性非常高，因为所使用的化学物质可以非常精确地适应于单个薄膜。对于大多数溶液的选择性大...

2022-04-15 标签：工艺晶片刻蚀 2881 0

流片Corner Wafer介绍

芯片制造是一个物理过程，存在着工艺偏差（包括掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等），导致不同批次之间，同一批次不同晶圆之间，同一晶圆不同芯片之间情况都是不相同...

2023-12-01 标签：晶圆 NMOS 芯片制造 2861 0

平面互补场效应晶体管替代金属栅工艺流程

该工艺是指在形成层间介质层（ILD）后，插入工序以形成高k介质和金属栅叠层，即在化学机械抛光（露出多晶硅栅叠层）后，刻蚀掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用...

2023-01-17 标签：CMOS 多晶硅晶体管 2839 0

芯片封装为什么要用到*** 封装***与芯片***的区别

在芯片制造过程中，光刻机用于在硅片上形成光刻胶图形，作为制造电路的模板。光刻机使用紫外光或其他光源照射硅片上的光刻胶，并通过投影光学系统将图形投射到硅片...

2023-09-12 标签：芯片制造芯片封装光学系统 2801 0

半导体刻蚀工艺简述(3)

对于湿法刻蚀，大部分刻蚀的终点都取决于时间，而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法，所以通常由操作员目测终点。湿法...

2023-03-06 标签：芯片半导体等离子体 2710 0

FIB-TEM进行微纳加工和原位研究分析

聚焦离子束与电子束曝光系统相似，由发射源、离子光柱、工作台、真空与控制系统等结构组成，其核心为离子光学系统，适用的是液态金属离子源（例如镓离子源）。

2023-10-10 标签：SEM fib 光电探测器 2672 0

浅析反应离子刻蚀工艺技术

刻蚀气体在等离子体中分解电离，形成离子和自由基等刻蚀类物质，称为Enchant → Enchant到达晶圆表面的过程。

2024-03-27 标签：集成电路晶圆刻蚀 2574 0

半导体刻蚀工艺简述

等离子体均匀性和等离子体位置的控制在未来更加重要。对于成熟的技术节点，高的产量、低的成本是与现有生产系统竞争的关键因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蚀系...

2023-04-21 标签：芯片等离子体封装 2425 0

半导体制造之等离子工艺详解

与湿式刻蚀比较，等离子体刻蚀较少使用化学试剂，因此也减少了化学药品的成本和处理费用。

2022-12-29 标签：晶圆工艺等离子 2353 0

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