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标签 > 刻蚀
刻蚀,英文为Etch,它是半导体制造工艺,微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻 [1] 相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀,实际上狭义理解就是光刻腐蚀,先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理,然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。
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光刻蚀(Photolithography)是一种在微电子和光电子制造中常用的加工技术,用于制造微细结构和芯片元件。它的基本原理是利用光的化学和物理作用,...
PVP可以在刻蚀过程中形成一层保护性的膜,降低刻蚀剂对所需刻蚀材料的腐蚀作用。它可以填充材料表面的裂缝、孔洞和微小空隙,并防止刻蚀剂侵入。这样可以减少不...
刻蚀(Etching)的目的是在材料表面上刻出所需的图案和结构。刻蚀的原理是利用化学反应或物理过程,通过移除材料表面的原子或分子,使材料发生形貌变化。
刻蚀和蚀刻实质上是同一过程的不同称呼,常常用来描述在材料表面上进行化学或物理腐蚀以去除或改变材料的特定部分的过程。在半导体制造中,这个过程常常用于雕刻芯...
环氧塑封是IC主要封装形式,环氧塑封器件开封方法有化学方法、机械方法和等离子体刻蚀法,化学方法是最广泛使用的方法,又分手动开封和机械开封两种。
硅的碱性刻蚀液:氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,晶片加工中,会用到强碱作表面腐蚀或减薄,器件生产中,则倾向于弱碱,如SC1清洗晶片或多晶...
等离子体均匀性和等离子体位置的控制在未来更加重要。对于成熟的技术节点,高的产量、低的成本是与现有生产系统竞争的关键因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蚀系...
在集成电路的制造阶段延续摩尔定律变得越发困难,而在封装阶段利用三维空间可以视作 对摩尔定律的拓展。硅通孔是利用三维空间实现先进封装的常用技术手段,现有技...
对于湿法刻蚀,大部分刻蚀的终点都取决于时间,而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法,所以通常由操作员目测终点。湿法...
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