刻蚀

半导体制造工艺解析

WCMP是电子束检测应用最重要的一层，这一层的功能主要体现在：可以使工程师遇到器件的漏电和接触不良问题。EBI的应用可以帮助提升成品率，减少半导体ict...

2023-08-11 标签：半导体晶体管电子束 2285 0

二氧化硅玻璃陶瓷刻蚀化学及HF辅助刻蚀的观察

关键词:玻璃陶瓷；氢氟酸；蚀刻条件；蚀刻速率；机制 引言 我们江苏华林科纳研究了氧化镁-氧化铝-二氧化硅玻璃陶瓷在氢氟酸中的腐蚀条件和机理。结果表明，在...

2022-01-04 标签：半导体晶圆刻蚀 2280 0

硅晶圆蚀刻过程中的流程和化学反应

引言 硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料，是极其重要的，将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中，晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工...

2022-04-08 标签：半导体硅晶圆刻蚀 2239 0

碳化硅在碱性溶液中的阳极刻蚀

引言 人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数，可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域，例...

2022-01-10 标签：半导体SiC碳化硅 2134 0

接触刻蚀阻挡层应变技术介绍

SMT仅仅是用来提高NMOS 的速度，当工艺技术发展到45nm 以下时，半导体业界迫切需要另一种表面薄膜层应力技术来提升PMOS 的速度。在SMT技术的...

2024-07-30 标签：PMOS工艺流程刻蚀 1906 0

单晶SiC晶圆加工过程中的低温湿法蚀刻

硅片在大口径化的同时，要求规格的严格化迅速发展。特别是由于平坦度要求变得极其严格，因此超精密磨削技术得以开发，实现了无蚀刻化，无抛光化。虽然在单晶SiC...

2022-04-15 标签：晶圆SiC刻蚀 1844 0

一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法

一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底；通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层；形成掩模层以暴露基底的底层区域；并以第一速率用...

2022-03-29 标签：SiC碳化硅刻蚀 1841 0

pcb蚀刻是什么意思

　在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。

2023-09-06 标签：pcb蚀刻刻蚀 1742 0

详解化学镍沉积技术的沉积过程

本文报道了这种化学镍的形成，包括在100pm以下的模具,通过扫描电镜检查，研究了各种预处理刻蚀过程和锌酸盐活化对最终化学镍碰撞质量的影响，以帮助详细了解...

2022-05-13 标签：工艺晶片刻蚀 1734 0

浅谈PCB蚀刻质量及先期存在的问题

要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层...

2023-09-07 标签：pcb印刷电路板蚀刻 1707 0

半导体图案化工艺流程之刻蚀(一)

图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中，刻蚀工艺是光刻(Photo)工艺的下一步...

2023-06-26 标签：半导体晶圆光刻 1613 0

光栅耦合器学习笔记

　　耦合一直是硅光集成的一个难点，目前主要有两种解决方案。

2023-12-06 标签：光栅带宽耦合器 1567 0

半导体前端工艺之沉积工艺

在前几篇文章（点击查看），我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程 。在上一篇我们说到，为制作巧克力夹心，需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分，...

2023-06-29 标签：半导体晶圆工艺 1562 0

什么是干法刻蚀的凹槽效应？凹槽效应的形成机理和抑制方法

但是，在刻蚀SOI衬底时，通常会发生一种凹槽效应，导致刻蚀的形貌与预想的有很大出入。那么什么是凹槽效应？什么原因引起的？怎么抑制这种异常效应呢？

2023-10-20 标签：芯片SOI刻蚀 1508 0

ZnO上ZnCdO的选择性湿法刻蚀 南通华林科纳

最近在外延膜的导电率控制和高质量块状氧化锌衬底的可用性方面的进展重新引起了我们对用于紫外光发射器和透明电子器件的氧化锌/氧化锌/氧化锌异质结构系统的兴趣。

2021-12-13 标签：半导体衬底光刻胶 1461 0