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刻蚀

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刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻［1］相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。

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刻蚀技术

半导体刻蚀工艺简述(2)

严重的离子轰击将产生大量的热量，所以如果没有适当的冷却系统，晶圆温度就会提高。对于图形化刻蚀，晶圆上涂有一层光刻胶薄膜作为图形屏蔽层，如果晶圆温度超过1...

2023-03-06 标签：半导体等离子体晶圆 1494 0

半导体制造之刻蚀工艺详解

单晶硅刻蚀用来形成相邻晶体管间的绝缘区，多晶硅刻蚀用于形成栅极和局部连线。

2023-02-13 标签：多晶硅半导体晶体管 9770 0

半导体行业之刻蚀工艺

等离子体图形化刻蚀过程中，刻蚀图形将影响刻蚀速率和刻蚀轮廓，称为负载效应。负载效应有两种:宏观负载效应和微观负载效应。

2023-02-08 标签：半导体晶圆刻蚀 3961 0

平面互补场效应晶体管替代金属栅工艺流程

该工艺是指在形成层间介质层（ILD）后，插入工序以形成高k介质和金属栅叠层，即在化学机械抛光（露出多晶硅栅叠层）后，刻蚀掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用...

2023-01-17 标签：CMOS 多晶硅晶体管 2836 0

一文解读DRAM的9大刻蚀技术

在将晶圆制成半导体的过程中需要采用数百项工程。其中，一项最重要的工艺是蚀刻（Etch）——即，在晶圆上刻画精细电路图案。蚀刻（Etch）工程的成功取决于...

2023-01-07 标签：DRAM 刻蚀 5491 0

半导体制造之等离子工艺详解

与湿式刻蚀比较，等离子体刻蚀较少使用化学试剂，因此也减少了化学药品的成本和处理费用。

2022-12-29 标签：晶圆工艺等离子 2350 0

半导体制造之等离子工艺

由下图可以看出当气体密度较高时MFP较短(a);而当气体密度较低时，MFP就较长(b)。大粒子的截面积较大，扫过的空间也较大。与一般或较小的离子相比，大...

2022-12-05 标签：工艺等离子刻蚀 1703 0

综述：MEMS制造工艺研究进展

据麦姆斯咨询报道，近期，来自南京理工大学的研究人员于《新型工业化》期刊发表综述文章，总结了体微加工技术和表面微加工常用的MEMS加工工艺的原理、加工方法...

2022-11-30 标签：mems 制造工艺刻蚀 1430 0

InAs/GaSb II类超晶格长波焦平面阵列台面ICP刻蚀技术研究

基于GaSb材料，包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以灵活地设计成各种新型材料和器件，尤其是InAs/GaSb超晶格具有独特的II型能带结构，可以...

2022-11-29 标签：工艺晶格 ICP 1689 0

半导体制造之离子工艺

其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞产生的自由基，自由基至少带有一个不成对的电子, 因此并不稳定。自由基在化学上非常活跃，能夺取其他原子或分子的电子形...

2022-11-28 标签：等离子体工艺 CVD 1252 0

伟大的工程之芯片制造

纵观整个制造业，芯片的制造流程可以说是最复杂的之一，这项点石成金术可分为八个大步骤，如下图所示，这些步骤又可细分为上百道工序。

2022-11-11 标签：晶圆芯片制造刻蚀 2966 0

揭秘半导体制造全流程（中篇）

本期，我们将继续探索半导体制造过程中的两大关键步骤：刻蚀和薄膜沉积。

2022-08-01 标签：晶圆半导体制造刻蚀 5309 0

揭秘半导体制造全流程（下篇）

在今天的推文中，我们将继续介绍最后三个步骤：互连、测试和封装，以完成半导体芯片的制造。

2022-08-01 标签：晶圆半导体制造刻蚀 3867 0

污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响

本文介绍了我们华林科纳研究了污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响。硅表面专门暴露在有机和金属污染中，以研究它们对碱性纹理化过程的影响，由此可见，无机污染对金...

2022-05-18 标签：晶片清洗刻蚀 810 0

详解化学镍沉积技术的沉积过程

本文报道了这种化学镍的形成，包括在100pm以下的模具,通过扫描电镜检查，研究了各种预处理刻蚀过程和锌酸盐活化对最终化学镍碰撞质量的影响，以帮助详细了解...

2022-05-13 标签：工艺晶片刻蚀 1734 0

通过湿法化学刻蚀制备多孔氧化锌薄膜

本文用湿化学腐蚀法制备多孔氧化锌的研究。通过射频磁控溅射在择优取向的p型硅上沉积ZnO薄膜。在本工作中使用的蚀刻剂是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，Z...

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晶片湿法刻蚀工艺详解

　　湿式蚀刻过程的原理是利用化学溶液将固体材料转化为液体化合物，选择性非常高，因为所使用的化学物质可以非常精确地适应于单个薄膜。对于大多数溶液的选择性大...

2022-04-15 标签：工艺晶片刻蚀 2880 0

单晶SiC晶圆加工过程中的低温湿法蚀刻

硅片在大口径化的同时，要求规格的严格化迅速发展。特别是由于平坦度要求变得极其严格，因此超精密磨削技术得以开发，实现了无蚀刻化，无抛光化。虽然在单晶SiC...

2022-04-15 标签：晶圆 SiC 刻蚀 1843 0

通过化学湿法刻蚀工艺制备氮化镓基发光二极管

最近，氮化镓基蓝色、绿色和紫外线发光二极管取得了巨大进展。这些氮化物基发光二极管也有可能用于固态照明。然而，为了实现固态照明，需要进一步提高这些发光二极...

2022-04-12 标签：工艺发光二极管刻蚀 1313 0

硅晶圆蚀刻过程中的流程和化学反应

引言硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料，是极其重要的，将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中，晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工...

2022-04-08 标签：半导体硅晶圆刻蚀 2235 0

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