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刻蚀

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刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻［1］相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。

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刻蚀技术

两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀

反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件...

2018-12-14 标签：半导体刻蚀 7.1万 0

深度解读TSV 的工艺流程和关键技术

要实现三维集成，需要用到几个关键技术，如硅通孔（TSV），晶圆减薄处理，以及晶圆/芯片键合。TSV 互连具有缩短路径和更薄的封装尺寸等优点，被认为是三维...

2017-11-24 标签：tsv 硅通孔刻蚀 6.4万 2

半导体制造之刻蚀工艺详解

单晶硅刻蚀用来形成相邻晶体管间的绝缘区，多晶硅刻蚀用于形成栅极和局部连线。

2023-02-13 标签：多晶硅半导体晶体管 9770 0

刻蚀工艺流程和步骤酸性蚀刻和碱性蚀刻的区别

刻蚀和蚀刻实质上是同一过程的不同称呼，常常用来描述在材料表面上进行化学或物理腐蚀以去除或改变材料的特定部分的过程。在半导体制造中，这个过程常常用于雕刻芯...

2023-07-28 标签：集成电路蚀刻芯片封装 8909 0

刻蚀分为哪两种方式刻蚀的目的和原理

刻蚀（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的图案和结构。刻蚀的原理是利用化学反应或物理过程，通过移除材料表面的原子或分子，使材料发生形貌变化。

2023-08-01 标签：集成电路电子器件刻蚀 8308 0

微流控芯片的发展及制造工艺介绍

微全分析系统的概念是在1990年首欠由瑞士Ciba2Geigy公司的Manz与Widmer提出的，当时主要强调了分析系统的微与全，及微管道网络的MEMS...

2018-09-05 标签：mems 光刻微流控芯片 7342 0

半导体八大工艺之刻蚀工艺-干法刻蚀

离子束蚀刻 (Ion beam etch) 是一种物理干法蚀刻工艺。由此，氩离子以约1至3keV的离子束辐射到表面上。由于离子的能量，它们会撞击表面的材...

2023-06-20 标签：半导体晶硅刻蚀 6826 0

刻蚀工艺主要分为哪几种类型刻蚀的目的是什么？

PVP可以在刻蚀过程中形成一层保护性的膜，降低刻蚀剂对所需刻蚀材料的腐蚀作用。它可以填充材料表面的裂缝、孔洞和微小空隙，并防止刻蚀剂侵入。这样可以减少不...

2023-08-17 标签：芯片封装半导体器件刻蚀 6359 0

详解电池片全工序工艺

采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应，采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，...

2023-05-06 标签：太阳电池电池片刻蚀 5527 0

一文解读DRAM的9大刻蚀技术

在将晶圆制成半导体的过程中需要采用数百项工程。其中，一项最重要的工艺是蚀刻（Etch）——即，在晶圆上刻画精细电路图案。蚀刻（Etch）工程的成功取决于...

2023-01-07 标签：DRAM 刻蚀 5491 0

揭秘半导体制造全流程（中篇）

本期，我们将继续探索半导体制造过程中的两大关键步骤：刻蚀和薄膜沉积。

2022-08-01 标签：晶圆半导体制造刻蚀 5309 0

等离子刻蚀ICP和CCP优势介绍

刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。

2024-04-12 标签：晶体管 CCP ICP 5115 0

SiO2在氢氟酸中的刻蚀机理

摘要研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点，并研究了SiQ的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在，建立了一种新的SiO~蚀刻...

2021-12-31 标签：晶圆镀膜刻蚀 4724 0

微带天线的四种基本馈电方式

射频馈电（Microstrip Feed）：这是最常见的微带天线馈电方式之一。射频信号通过微带线传输到天线的辐射部分，通常是通过微带线和辐射贴片之间的...

2024-03-19 标签：天线微带天线刻蚀 4558 0

光伏刻蚀工艺流程光刻蚀刻加工原理是什么

光刻蚀（Photolithography）是一种在微电子和光电子制造中常用的加工技术，用于制造微细结构和芯片元件。它的基本原理是利用光的化学和物理作用，...

2023-08-24 标签：太阳能电池光刻胶刻蚀 4487 0

集成电路芯片制造工艺全流程

一般来说SiO2是作为大部分器件结构中的绝缘体或在器件制作过程中作为扩散或离子注入的阻挡层。

2024-03-11 标签：集成电路芯片制造光刻技术 4400 0

半导体湿法化学刻蚀工艺观察

我们提出了一种观察铝层蚀刻截面的方法，并将其应用于静止蚀刻蚀刻的试件截面的观察。观察结果成功地阐明了蚀刻截面几何形状的时间变化，和抗蚀剂宽度对几何形状的...

2021-12-14 标签：半导体刻蚀 4236 0

金属湿法刻蚀

但是，HCl为基体的刻蚀溶液，会严重地侵蚀Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体，而且对Ni（Pt...

2023-05-29 标签：CMOS 刻蚀金属栅极 4005 0

半导体行业之刻蚀工艺

等离子体图形化刻蚀过程中，刻蚀图形将影响刻蚀速率和刻蚀轮廓，称为负载效应。负载效应有两种:宏观负载效应和微观负载效应。

2023-02-08 标签：半导体晶圆刻蚀 3961 0

干法刻蚀在工艺制程中的分类介绍（干法刻蚀关键因素研究）

湿法刻蚀由于精度较差，只适用于很粗糙的制程，但它还是有优点的，比如价格便宜，适合批量处理，酸槽里可以一次浸泡25张硅片，所以有些高校和实验室，还在用湿法...

2023-08-28 标签：芯片集成电路刻蚀 3933 0

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