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刻蚀

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刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻［1］相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。

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刻蚀资讯

详解SC-I清洗的化学模型

RCA标准清洁，在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清洁包括两个顺序步骤：标准清洁1（SC-1）和标准清洁2（SC-2）。SC-1溶液由氢氧化铵、过氧化...

2022-03-25 标签：晶片模型刻蚀 3624 0

泛林集团推三款开创性的选择性刻蚀产品此前宣布季度股息1.5美元每股

泛林集团推三款开创性的选择性刻蚀产品泛林集团深信创新不仅来自于创新者，更需要共同合作、精确细致和努力交付才能实现创新。我们助力第四次工业革命，也是世界...

2022-03-22 标签：集成电路晶圆刻蚀 3013 0

泛林集团推开创性的选择性刻蚀解决方案加速实现3D

通过与客户、技术专家和产品团队的合作，他们已经在选择性刻蚀创新方面实现突破，这将使世界领先的芯片制造商得以提供下一代3D逻辑和存储设备。

2022-03-22 标签：刻蚀刻蚀工艺泛林集团 2092 0

硅在氢氧化钾水溶液中的刻蚀机理

本文根据测量的OCP和平带电压，构建了氢氧化钾水溶液中n-St的定量能带图，建立了同一电解质中p-St的能带图，进行了输入电压特性的测量来验证这些能带图...

2022-03-17 标签：硅材料刻蚀 1479 0

氮化镓的大面积光电化学蚀刻技术

本文介绍了一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化镓进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化镓、非有意掺杂氮化镓和p-氮化镓样品的结果。

2022-03-17 标签：工艺氮化镓刻蚀 1374 0

关于刻蚀的重要参数报告

刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示，刻蚀窗口的深度称为台阶高度。为了高的产量，希望有高的刻蚀速率。在采用单片工艺...

2022-03-15 标签：材料硅片刻蚀 3514 0

单片湿法刻蚀—《华林科纳-半导体工艺》

摘要绝缘体上硅（SOI）晶片是目前非常重要的材料，它是通过使用两个硅晶片的晶片键合技术制备的。该生产过程需要在硅晶片表面形成的二氧化硅薄膜非常干净...

2022-03-02 标签：半导体刻蚀 989 0

改善刻蚀均匀性的技术

摘要一种形成介电间隔物的方法，包括提供衬底，文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁该衬底包括具有第一多个栅极结构的第一区域和具有第二多个栅极结构的第二区...

2022-02-24 标签：半导体刻蚀 1937 0

氧化硅刻蚀速率的提高方法

摘要等离子体蚀刻工艺，特别适用于在具有非氧化物成分的特征上选择性蚀刻氧化物，例如氮化硅，尤其是当该特征具有在氧化物蚀刻期间易于刻面的角部时。主要的含氟...

2022-02-24 标签：半导体刻蚀 3040 0

碳化硅和二氧化硅之间稳定性的刻蚀选择性

磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高温下已被使用多年来蚀刻对二氧化硅(二氧化硅)层有选择性的氮化硅(Si3N4)。生产需要完全去除Si3N4，同...

2022-02-15 标签：装置碳化硅刻蚀 3177 0

ZnO薄膜的湿法刻蚀研究报告—华林科纳

摘要 FeCl3·6h2o用于单晶氧化锌薄膜的湿法蚀刻。该方法对抑制用酸蚀刻氧化锌薄膜时通常观察到的“W”形蚀刻轮廓有很大的影响。通过触控笔轮廓仪和扫描...

2022-01-26 标签：半导体刻蚀 494 0

各向异性金刚石刻蚀的研究报告

摘要金刚石具有优良的物理和电子性能，因此使用金刚石的各种应用正在开发中。此外，通过蚀刻技术控制金刚石几何形状对于这类应用至关重要。然而，用于蚀刻其他材...

2022-01-21 标签：半导体刻蚀 1187 0

关于AlN和GaN的刻蚀对比研究—江苏华林科纳半导体

引言 AlN、GaN及其合金因其宽带隙和独特的性能被广泛应用于光电子领域，例如基于AlGaN的紫外线发光二极管(UV-LEDs) ，激光二极管(LD)，...

2022-01-14 标签：半导体刻蚀 3320 0

KOH硅湿化学刻蚀—江苏华林科纳半导体

氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀基底。也就是说，它们...

2022-01-11 标签：刻蚀 GBDT 2503 0

LiNbO3选择性刻蚀的研究

引言随着制造技术的不断进步，特别是基于纳米或微米结构的制造，已经研究出了具有强光学限制的各种制造工艺.两种最广泛使用的基于扩散的制造波导的方法已经在超...

2021-12-24 标签：半导体刻蚀 613 0

LiNbO3刻蚀速率与晶体取向的关系

引言铌酸锂是一种广泛应用于光学和声表面波器件的铁电材料。铌酸锂通常不用于微机电系统(MEMS)应用，部分原因是铌酸锂的体微加工不如与其他材料的加工那样...

2021-12-24 标签：半导体刻蚀 1000 0

表面增强拉曼散射（SERS）的相关应用研究

自从发现表面增强拉曼散射(SERS)对于粗糙表面的影响以来，许多研究已经开始对多样化的、有发展的SERS基底进行了探索。目前，大多数的研究集中在各种纳米...

2021-12-03 标签：电磁场刻蚀 3850 0

memsstar在MEMS领域的技术实力，以及近期取得的进展

虽然我们提供的产品是MEMS设备，但那只是我们技术和工艺的载体。我们的MEMS设备中包含的先进MEMS工艺经验和知识，并且我们团队还专注于可能在10~1...

2021-05-13 标签：mems 供应链刻蚀 2625 0

半导体设备大厂Lam ResearchQ3营收创纪录三分之一营收来自中国

4月21日，半导体设备大厂Lam Research发布2021第三季度财报，营收创下新高，达到38.5亿美元，高于此前37.2亿美元的预期，达到单季的最...

2021-04-22 标签：刻蚀营收 Lam Research 6085 1

【芯闻精选】八寸晶圆厂狂涨价，硅片单价突破 1000 美元创十年新高；中微公司刻蚀机已进入国际客户5nm产线

产业新闻臻鼎科技控股高端集成电路封装载板智能制造工厂项目昨日签约 4月6日，臻鼎科技控股高端集成电路封装载板智能制造工厂项目签约仪式在秦皇岛经...

2021-04-08 标签：晶圆物联网刻蚀 4493 0

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