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标签 > 功率器
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氮化镓(GaN)功率器件在几个关键性能指标上比硅(Si)具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场,能实现更薄的漂移层,同时在较高的击穿电...
2019年7月17日至20日,第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM2019)在北京世纪金源大饭店盛大召开。
近日,由华大半导体和复旦大学共建的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心举行揭牌仪式。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲、上海市科委、复旦大学和华大...
IR推出高效率氮化镓功率器件 目前,硅功率器件主要通过封装和改善结构来优化性能提升效率,不过随着工艺技术的发展这个改善的空间已经不大了
来源:意法半导体 2023 年 1 月 16日,中国——意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK™ SMIT 封装功率半导体器件。与传统 TO ...
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