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功率mosfet

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功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

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东芝拓展40V N沟道功率MOSFET产品线，引领汽车节能新纪元

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Vishay推出30V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET

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Vishay推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET

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东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET

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超越期望，引领控制革新——ASDM65N18S功率MOSFET

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功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000个单元（50V功率MOS-FET）或者50.000单元...

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