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标签 > 功率mosfet
功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
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TI推出业内电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州仪器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管,电阻实现业内最低,比传统60-V负载开关低90%,同时,使终端系统功耗得以降...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB
Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
Vishay推出新款40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L
Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET
Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x ...
Mouser开始供应Vishay Siliconix Si8802 TrenchFET功率MOSFET
Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款採用业界最小的晶片级封装,并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。
Microchip推出电源转换控制器及功率MOSFET器件系列
Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布,推出全新电源转换控制器系列及其首个功率MOSFET器件系列。
Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
IR推出低导通电阻的车用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MO...
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET ,最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。
Vishay新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET--...
Microsemi推出RF功率MOSFET产品DRF1400
美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布扩展其RF功率产品线,推出了DRF1400功率MOSFET。
美高森美公司(Microsemi )宣布扩大RF功率产品线,推出DRF1400功率MOSFET。该产品非常适合在广泛的工业、科学和医疗 (indus...
Vishay的PowerPAIR功率MOSFET荣获2012中国年度电子成就奖
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR...
瑞萨电子日前发售了八款封装尺寸仅为2mm×2mm的功率MOSFET。其中两款产品“在封装尺寸为2mm见方的产品中,实现了业界最高水平的低导通电阻”。
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologi...
飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。
英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩...
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