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标签 > 功率mosfet
功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
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Vishay推出新款n沟道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道功率M...
Vishay发布新款TrenchFET功率MOSFET-SiB437EDKT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFE...
MAX5981支持IEEE 802.3at标准的功率MOSFET
MAX5981为用电设备(PD)提供完整的接口电路,符合以太网供电(PoE)系统IEEE® 802.3af/at标准。MAX5981还提供电源就绪(PG...
2011-08-03 标签:功率MOSFETMAX5981IEEE 802.3at 1243 0
瑞萨电子公司宣布开发面向消费类产品(如无线电动工具和电动自行车)中电机驱动的100A大电流功率MOSFET,
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其封装系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用...
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST) 推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。全新抗辐射功率MOSFET...
Vishay发布TrenchFET功率MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率...
瑞萨电子推出新型高压功率MOSFET产品RJK60S5DPK
瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)推出用于电源器件的新型高压、N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)产品。新产品名为RJK60S5DPK
2011-03-21 标签:功率MOSFET瑞萨电子RJK60S5DPK 1153 0
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923ED...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器...
新日本无线现已开发完成了内置有30V耐圧、4A输出功率MOSFET的通用半桥驱动器NJW4800,并已经开始投入生产了。该产品
2010-12-24 标签:功率MOSFET 1344 0
新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiH
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,...
2010-11-09 标签:功率MOSFET 1756 0
飞兆和英飞凌签署功率MOSFET兼容协议 全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌...
2010-04-26 标签:功率MOSFET 671 0
基于功率MOSFET设计考量 用作功率开关的MOSFET 随着数十年来器件设计的不断优化,功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。...
2010-04-24 标签:功率MOSFET 1351 0
功率MOSFET并联均流问题研究 对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究,详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨...
2009-06-30 标签:功率MOSFET 3709 0
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