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标签 > 功率mosfet
功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
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功率MOSFET并联均流问题研究 对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究,详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨...
2009-06-30 标签:功率MOSFET 3644 0
极豪科技光学指纹方案助力OPPO Reno 8 Pro+实现"极"速流畅解锁
创"芯"体验 上海2022年5月24日 /美通社/ -- "AI×Sensor"人工智能传感器供应商极豪科技今日宣布,搭载其屏下光学指纹识别芯片JV03...
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上,它的密度是每平方毫米250.000个单元(50V功率MOS-FET)或者50.000单元...
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其封装系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用...
东芝针对汽车应用推出三款100V N沟道功率MOSFET产品
一个人的工作能力是指他承担某项工作、执行某项业务、任务的能力。具体表现有两方面,一是他的专业知识水平,二是他解决、处理实际工作的能力。在实践中二者常常是...
瑞萨电子公司宣布开发面向消费类产品(如无线电动工具和电动自行车)中电机驱动的100A大电流功率MOSFET,
Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET
Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x ...
新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiH
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,...
2010-11-09 标签:功率MOSFET 1743 0
Vishay发布TrenchFET功率MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器...
Vishay推出新款n沟道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道功率M...
Vishay推出新款40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L
Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
TI推出业内电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州仪器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管,电阻实现业内最低,比传统60-V负载开关低90%,同时,使终端系统功耗得以降...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923ED...
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