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标签 > 半导体材料
半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
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氮化镓是一种半导体材料,具有良好的电子特性,可以用于改善电子器件的性能。氮化镓的主要用途是制造半导体器件,如晶体管、集成电路和光电器件。
砷化镓是一种重要的半导体材料,它具有优异的电子特性,广泛应用于电子器件的制造。砷化镓具有良好的电子性能,具有高电子迁移率、低漏电流、高热稳定性和高热导率...
碳化硅是一种半导体材料,它具有优异的电子特性,可以用于制造电子器件。它是由碳原子和硅原子组成的,具有高熔点、高热稳定性和高电阻率等特性。
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常...
碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境...
进入90年代以后,第二代半导体砷化镓、磷化铟等具有高迁移率的半导体材料逐渐出现,使得有线通讯技术迅速发展。随后在本世纪初,碳化硅,氮化镓等具有宽禁带的第...
硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料,主要应用于功率器件,凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内硅基氮 化镓将在手机快充充电器...
碳化硅属于第三代半导体材料之一,具备大功率、低损耗、高可靠、低散热等特点,可应用于 1200 伏特以上的高压、严苛环境,可广泛应用于风电、铁路等大型交通...
碳化硅(SiC)是一种高性能的半导体材料,基于SiC的肖特基二极管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能...
氮化镓(GaN)是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关,更高的热导率和更低的导通电阻,氮化镓基功率器件...
碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体材料可用于制造芯片,这是半导体行业的基石。碳化硅是通过在电阻炉中高温熔化石英砂,石油焦,锯末等原材料而制造的。
运行在很高频率下的电子器件所表现的性能主要与:1)组成半导体的材料特性和2)器件的结构有关[3]。Si,GaAs 和InP 是目前具有截止频率在300G...
半导体产业链一般分为设计、制造和应用三个环节。半导体材料在半导体产业链中位于制造环节上游,和半导体设备一起构成了制造环节的核心上游供应链,是推动半导体产...
半导体的分类,按照其制造技术可以分为:集成电路器件,分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类,一般来说这些还会被分成小类。
氮化铝(AlN)是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物,晶格参数为a=3.114,c=4.986。纯氮化铝呈蓝白色,通常为灰色或灰白色,是典型的III-Ⅴ族...
电容器上电动机和压缩机中使用具有比在固态电路中使用的电容器不同的功能。单相电动机或压缩机上使用的电容器有助于启动电动机旋转(启动盖)或减少运行安培(运行盖)。
固态照明(SSL)技术由于其在节能和减少环境污染方面的优势,正逐渐取代传统的照明光源。因此,开发可应用在SSL设备的高性能发光材料成为近十年来的一个非常...
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