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标签 > 华邦
华邦成立于1987年9月,1995年正式于台湾证券交易所挂牌上市。企业总部座落于台湾中部科学园区,在中科设有一座12吋高度智能化和自动化晶圆厂。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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W25X20CLUXIG-TR | W25X20CLUXIG-TR |
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W25M02GWZEIT | W25M02GWZEIT |
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W25Q64FWSTIG TR | W25Q64FWSTIG TR |
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W631GU6MB-12 | W631GU6MB-12 |
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W25Q256FVFIG | 3V 256M位串行闪存,带双通道/四通道SPI接口 |
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W25Q256FVEIG | FLASH存储器 256Mbit 2.7V~3.6V FLASH - NOR |
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W25Q32FVSSIG | 3V 32M位串行闪存,带双通道/四通道SPI和QPI |
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W29N04GVSIAA | 存储容量:4Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 读-工作电流:25mA 写-工作电流:25mA 擦除-工作电流:25mA 待机电流:10μA |
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W25Q256JVFIQ | 3V 256M位串行闪存,带双通道/四通道SPI接口 |
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W25Q128JVFIQ | 3V 128M 位串行闪存,带双通道/四通道 SPI |
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W25Q64FWSSIQ | 1.8V 64M位串行闪存,带双通道/四通道SPI和QPI |
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W25Q64JVZEIQ | 3V 64M位串行闪存,带双通道、四通道SPI |
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W25Q64JVSFIQ | 3V 64M位串行闪存,带双通道、四通道SPI |
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W25Q64JVSSIQ | FLASH存储器 SOIC8_208MIL 64(8Mx8)MB SPI-四 I/O 133MHz 2.7V~3.6V |
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W25Q80EWSNIG | 1.8V 8M位串行闪存,带双通道/四通道SPI和QPI |
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W25X10CLSNIG | FLASH存储器 1MBIT SPI 104MHZ SOIC8_150MIL |
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W9412G6KH-5 | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II |
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W9812G6KH-6 | SDRAM 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 166 MHz 5 ns 54-TSOP II |
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W9425G6KH-5 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II |
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W25Q128JVPIQ | 3V 128M位串行闪存,带双通道/四通道SPI接口 |
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W25Q128JVSIM | 3V 128M位串行闪存,带双通道/四通道SPI接口 |
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W9864G6KH-6 | SDRAM 存储器 IC 64Mb(4M x 16) 并联 166 MHz 5 ns 54-TSOP II |
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W29N02GVSIAA | 2G-BIT 3.3V NAND FLASH MEMORY |
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W9751G6KB-25 | SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 400 MHz 400 ps 84-WBGA(8x12.5) |
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W25Q16JVSNIQ | FLASH存储器 SOIC8_150MIL 16 (2M x 8)MB 133MHz 2.7V~3.6V |
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W25X40CLSNIG | 4位串行闪存,带4KB扇区和双I/O SPI SOIC8_150MIL 2.3V~3.6V |
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W25Q80DVSSIG | 3V 8M 位串行闪存,带双通道和四通道 SPI |
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W25Q128FWSIG | 1.8V 128M位串行闪存,带双/四SPI和QPI |
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W25Q64FVSSIQ | 带有双/四SPI和QPI的3V 64M位串行闪存 |
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W25Q32JWUUIQ | 非易失 FLASH - NOR 1.7~1.95V |
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