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标签 > 单晶
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由于GaN在高温生长时N的离解压很高,很难得到大尺寸的GaN单晶材料,因此,为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人员经过几十年的不...
外延工艺是指在衬底上生长完全排列有序的单晶体层的工艺。一般来讲,外延工艺是在单晶衬底上生长一层与原衬底相同晶格取向的晶体层。外延工艺广泛用于半导体制造,...
摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切...
使用物理气相传输法(PVT)制备出直径 209 mm 的 4H-SiC 单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准 8 英寸 SiC 单...
单晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正极材料为单晶NCM正极构建稳定结构和界面
单晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正极材料因其高放电容量和良好的电化学性能而受到广泛关注,然而,单晶材料在高压下循环会发生严重的晶格畸变和电极/...
在2.8−4.6 V电压窗口中,PC-NCM811 在循环过程中表现出严重的容量衰减,在电流密度为0.5 C时,100和200次循环后的容量保持率分别仅...
近年来全球硅晶圆供给不足,导致8英寸、12英寸硅晶圆订单能见度分别已达2019上半年和年底。目前国内多个硅晶圆项目已经开始筹备,期望有朝一日能够打破进口...
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