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半导体技术领域的发展速度十分惊人,新思科技与台积公司(TSMC)始终处于行业领先地位,不断突破技术边界,推动芯片设计的创新与效率提升。我们与台积公司的长...
新思科技面向台积公司先进技术推出多裸晶芯片设计解决方案,共同推动系统级创新
为满足客户对异构计算密集型应用的复杂要求,新思科技(Synopsys,Inc.,纳斯达克股票代码:SNPS)近日宣布,推出业界领先的全面EDA和IP解决...
新思科技数字和定制设计流程获得台积公司的N3E和N4P工艺认证,并已推出面向该工艺的广泛IP核组合。
台湾新竹,2022 年 6 月 23 日 - 台湾领先 ASIC/SoC 版图设计服务的供應商矽拓科技今日宣布加入台积公司开放创新平台的设计中心联盟(...
台积公司授予新思科技多项“年度OIP合作伙伴”大奖项,肯定双方在半导体创新方面的长期合作
双方合作涵盖新思科技的Interface IP、基于TSMC 3DFabric™的设计解决方案以及针对台积公司N4制程技术的PPA优化。
通过与台积公司在早期的持续合作,我们为采用台积公司先进的N3制程技术的设计提供了高度差异化的解决方案,让客户更有信心成功设计出复杂的SoC。
新思科技与台积公司拓展战略技术合作,为下一代高性能计算设计提供3D系统集成解决方案
新思科技3DIC Compiler是统一的多裸晶芯片设计实现平台,无缝集成了基于台积公司3DFabric技术的设计方法,提供完整的“探索到签核”的设计平台
新思科技DesignWare IP基于台积公司N5制程技术助力客户连续实现一次流片成功,获行业广泛采用
新思科技高质量接口和基础IP核获得20多家领先半导体公司的采用,涵盖汽车、移动和高性能计算市场。
新思科技DesignWare PVT子系统针对台积公司N3制程技术提升性能、功耗和芯片生命周期管理
基于当今的先进制程技术、基础优化方案、遥测技术和分析方法,刚加入新思科技的Moortec所提供的芯片内传感技术始终是实现最高性能和可靠性的关键要素。
据台湾地区《经济日报》报道,台湾地区内政部都委会在7月16日晚间的公告指出,台积电3纳米工厂通过环境评测,台积电预计投资超过新台币6000亿元兴建全球第...
Credo于TSMC 2018南京OIP研讨会首次公开展示7纳米工艺结点112G SerDes
Credo 在2016年展示了其独特的28纳米工艺节点下的混合讯号112G PAM4 SerDes技术来实现低功耗100G光模块,并且快速地跃进至16纳...
Dialog公司与台积公司携手开发行动产品电源管理芯片应用的BCD技术
Dialog半导体公司与台积公司今日共同宣布:携手开发下一世代的BCD(Bipolar–CMOS -DMOS,双极–互补金属氧化半导体–双重扩散金属氧化...
全球晶圆资本支出紧追台积 全球第三大晶圆代工厂商全球晶圆(Globalfoundires)昨(15)日宣布,为扩充12寸厂产能,今年资本支出将达
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