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标签 > 合科泰
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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SS56A |
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SS310A |
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SS510A |
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SS510B |
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HKTD90N03 |
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BCX56 BH HD | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):200mW; |
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BCX56-16 BL HD | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); |
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2SA1661 DY | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,5V; |
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2SB1260 ZL 180-390 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,3V; |
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BCX53 AH HD | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); |
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2SC4672 DKQ 120-270 HL | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):350mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):210MHz;工作温度:-; |
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IRLML2502 | MOSFETs N沟道 耐压:20V 电流:4.2A SOT-23 |
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IRLML5103 | MOSFETs SOT23-3 P-沟道 VDS=25V ID=760mA |
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BZX84C5V1 | 齐纳/稳压二极管 5.1V 2μA SOT23-6 60Ω 900mV |
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BZT52C6V2 | BZT52C6V2 |
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SD103AWS | 肖特基二极管 VR=40V IF=350mA 50pF P=200mW SOD323 |
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BAV21WS | BAV21WS |
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MB8F | MB8F |
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2SC1623(L6) | 2SC1623(L6) |
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SS18 | SS18 |
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SD103AX | SD103AX |
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BZT52C36 | 稳压二极管 Vz=36V 34V~38V Izt=2mA P=350mW SOD123 |
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BZT52C24 | 稳压二极管 Vz=24V 22.8V~25.6V Izt=5mA P=350mW SOD123 |
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BZT52C20 | 稳压二极管 Vz=20V 18.8V~21.2V Izt=5mA P=350mW SOD123 |
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2SD1664 | General Purpose Transistors NPN SOT89 32V 1A |
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B5817W | 肖特基二极管 Single VR=20V IF=1A IR=1mA CT=120pF SOD123 |
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AO3420 | 低压MOSFET(N沟道)VDS=20V ID=6A SOT23 |
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SS34A | 肖特基二极管 独立式 VR=40V IF=3A IR=500μA Cj=160pF SMA |
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ABS210 | 桥式整流器 VRRM=1KV If=2A VF=1.1V CJ=25pF |
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S9014 | 三极管 NPN Ic=100mA Vceo=45V hfe=200~1000 P=200mW SOT23 |
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