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标签 > 合科泰
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。
文章:99个 浏览:357次 帖子:0个
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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MB2F | - |
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MB1F | - |
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MB05F | - |
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ES1G | - |
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ES1E | - |
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ES1D | - |
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ES1C | - |
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ES1B | SMA 100V |
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ES1A | SMA 50V |
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MB8S | - |
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MB4S | 整流桥 VRRM=400V If=800mA VF=1V CJ=13pF MBS |
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RB520S-30 | 肖特基势垒二极管 SOD523 30V 200mA |
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MMBD4148A | 100V+150℃@(Tj)350mW单个1V@10mA4纳秒5uA@75V200mA SOT-23开关二极管ROHS |
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BAV21W | SOD123 500mW |
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S8205A | 双N沟道增强型场效应晶体管 |
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B772 | 双极晶体管 (PNP)VCBO=40V VCEO=30V VEBO=6V IC=3A SOT89 |
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A733 | 双极晶体管(PNP)VCBO=60V VCEO=50V VEBO=5V IC=150mA SOT323 |
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2SC3356 | 双极晶体管 NPN VCBO=20V VCEO=12V VEBO=3V IC=100mA SOT323 |
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1N5819W | 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):900mV@3A 反向电流(Ir):1mA@40V |
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C945 | 双极晶体管(NPN)VCBO=60V VCEO=50V VEBO=5V IC=150mA SOT23 |
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2SC3357 复制 | NPN硅射频晶体管 |
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2SC3357 | NPN硅射频晶体管 |
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FL8205 | N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.5W |
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2SC1623 L7 | 双极型晶体管(NPN) VCBO=60V VCEO=50V VEBO=5V SOT23 |
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2SC1623 L6 | 双极型晶体管(NPN) |
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1N4148W | 二极管配置:独立式 功率:350mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):150mA |
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2SC2712 | 三极管 NPN Ic=150mA Vceo=50V hfe=70~700 P=150mW SOT23 |
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MMBT3904 | 三极管 NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=200mW SOT23 |
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S8550 | 三极管 PNP Ic=500mA Vceo=25V hfe=120~400 P=300mW SOT23 |
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2SC1623 L5 | 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):135@1mA,6V 特征频率(fT):250MHz 工作温度:+150℃@(Tj) L5(135~270) |
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