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合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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2SC1623 L(90-600) | NPN Vce=50V hfe=90~600 Ic=100mA |
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S9015 | PNP Ic=-100mA Vceo=-45V fT=150MHZ P=200mW SOT-23 |
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B772(1.5A) | PNP Ic=-1.5A Vceo=-30V fT=50MHZ P=500mW SOT-89 |
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SS12 | 肖特基二极管VR=20V Io=1A SMA |
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SI2302 | N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1W |
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RS1M | 快恢复二极管 VRRM=1KV If=1A VF=1.3V CJ=15pF trr=500ns SMA |
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AO3400 | N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):350mW |
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MMBT5401 | 三极管 PNP Ic=600mA Vceo=150V hfe=100~300 P=300mW SOT23 |
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2SC2412 | 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA |
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BC807-40 | 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) |
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SI2300 | N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@2.5V |
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S9012 | 三极管 PNP Ic=500mA Vceo=25V hfe=120~400 P=300mW SOT23 |
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BC846B | 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW |
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SI2301 | P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):1.25W |
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2N7002K | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=340mA RDS(ON)=5.3Ω@4.5V SOT23 |
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2N7002 | MOSFETs N-Channel Vdss:60V Id:115mA Pd:225mW SOT23 |
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AO3402 | 低压MOSFET(N通道)SOT23 VDS=30V PD=1.4W ID=4A |
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MMBT2222A | 三极管 NPN Ic=600mA Vceo=40V hfe=100~300 P=300mW SOT23 |
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AO3401 | MOSFETs P-channel 30V 4.2A SOT23 |
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2SC3356R | 三极管 NPN Ic=100mA Vceo=12V hfe=50~300 P=200mW SOT23 |
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2SA733 | 三极管 PNP Ic=500mA Vceo=50V hfe=120~475 P=200mW SOT23 |
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MMBT5551 | 三极管 NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=100~300 P=300mW SOT23 |
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SS16 | VR=60V IF=1A 90pF |
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MB10S | 桥式整流器Vr=1KV Ir=5μA CJ=13pF MBS |
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BAW56 | SOT23 225mW |
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M7F | 整流二极管 VRRM=1KV If=1A VF=1.1V CJ=15pF SMAF |
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1N4007L | 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
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M7 | 1.0安培 表面安装整流器 VR=1000V IF=1A 15pF |
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BAV99 | 开关二极管 VR=70V IF=200mA Trr=6ns P=225mW SOT23 |
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MMBD4148CC | 肖特基二极管 Common cathode VR=100V IF=300mA IR=5μA CT=4pF SOT23 |
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