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标签 > 场效应晶体管
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
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在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中,Vgs(栅极-源极电压)和Vds(漏极-源极电压)之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基...
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
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在选择场效应晶体管(FET)时,需要考虑多个因素以确保所选器件能够满足特定的应用需求,同时保证电路的性能和可靠性。以下是一个详细的选择场效应晶体管的指南...
结型场效应晶体管(Junction Field-Effect Transistor,简称JFET)和N沟道场效应晶体管(N-Channel Field-...
结型场效应晶体管(Junction Field-Effect Transistor,简称JFET)是一种基于场效应原理工作的三端有源器件,其工作原理和特...
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MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)的GS(栅极...
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在电子电路设计中,MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种常用的功率器件,具有高速开关、低导通电阻、低驱动功耗等优点。然而,如果MOSFE...
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