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场效应晶体管

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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

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场效应晶体管技术

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金刚石场效应晶体管及深紫外光电探测研究

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MOSFET关断条件是什么 mosfet管关断过程的分析

　MOSFET，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）...

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场效应晶体管与微流控器件的集成应用分析

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场效应管原理通俗理解场效应管参数怎么看场效应管是做什么用的

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半导体光刻工艺光刻—半导体电路的绘制

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氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究

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表面终端金刚石场效应晶体管的研究

金刚石不仅具有包括最高的硬度、极高的热导率、达5.5eV的宽带隙、极高的击穿电场和高固有载流子迁移率等多种卓越性质

2023-07-25 标签：传感器 MOSFET FET 1232 0

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高压大电流DMOS外延区电阻率设计

功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类：直流参数、交流参数和极限参数。

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金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种场效应晶体管（FET），由三个端子-栅极、源极和漏极组成。在MOSFET中，漏极由栅极端的电压控制，因...

2023-07-07 标签：MOSFET FET 场效应晶体管 5691 0

求一种高压大电流DMOS版图设计方案

功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类

2023-07-05 标签：开关电源 MOS管逆变器 645 0

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功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类：直流参数、交流参数和极限参数。

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单层GaSe中电荷转移的理论研究

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