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标签 > 场效应晶体管
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
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MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高输入阻抗、低功耗和快速开关特性而被广泛应用于各种电子设备中。 MOSFET的工作原理 在深入故障分...
MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是电子电路中常用的一种功率放大器件,因其体积小、功耗低、驱动简单等优点而被广泛应用于各种电子设备中。然而,由于其...
MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSF...
MOS管,全称为金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一...
英飞凌IPD50N10S3L-16:高达180A电流的功率晶体管中文资料书
概述: 功率MOS场效应晶体管是一种金属氧化物硅场效应晶体管,工作电压最高达到1kV(SiC:2kV),具有高开关速度和最佳效率。 这项创新技术在消费电...
据百能云芯电.子元器.件商.城了解,美国政府正考虑深化对华出口管制措施,旨在阻碍中国获取先进的全栅场效应晶体管(GAA)技术及高带宽存储器(HBM)技术...
微电子所在《中国科学:国家科学评论》发表关于先进CMOS集成电路新结构晶体管的综述论文
来源:中国科学院微电子研究所 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是推动大规模CMOS集成电路按照“摩尔定律”持续微缩并不断发展的核心器件。...
安建半导体是一家专注于半导体功率器件的研发、设计和销售的公司,主要产品包括高性能沟槽栅场截止型绝缘栅双极性晶体管、屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、高压场效应晶...
AO8810 TSSOP-8 共漏双n通道增强模场效应晶体管
概述 AO8810/L采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中...
2024-03-22 标签:场效应晶体管 353 0
一种集成低功耗pH传感器的离子敏感场效应晶体管(ISFET)
据麦姆斯咨询报道,德国弗劳恩霍夫光子微系统研究所(Fraunhofer IPMS)开发出一种用于芯片式pH值测量的传感层,并成功将其集成到离子敏感场效应...
近期,科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策:将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
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