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场效应晶体管

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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

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场效应晶体管资讯

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2D多鳍FETs的高密度集成，搭台引导外延的科技突破！

来源：科学之邦【研究背景】随着摩尔定律的推进，传统基于三维半导体的场效应晶体管（FETs）不断缩小，这导致了设备性能的提升和晶体管密度的增加。然而，...

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英飞凌IPD50N10S3L-16：高达180A电流的功率晶体管中文资料书

概述：功率MOS场效应晶体管是一种金属氧化物硅场效应晶体管，工作电压最高达到1kV（SiC：2kV），具有高开关速度和最佳效率。这项创新技术在消费电...

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美国或将进一步收紧技术对华出口

据百能云芯电.子元器.件商.城了解，美国政府正考虑深化对华出口管制措施，旨在阻碍中国获取先进的全栅场效应晶体管（GAA）技术及高带宽存储器（HBM）技术...

2024-06-12 标签：场效应晶体管 HBM GAA 247 0

微电子所在《中国科学：国家科学评论》发表关于先进CMOS集成电路新结构晶体管的综述论文

来源：中国科学院微电子研究所金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是推动大规模CMOS集成电路按照“摩尔定律”持续微缩并不断发展的核心器件。...

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安建半导体获超2亿元C1轮融资

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利用连续滴定工艺制备一种高品质HgTe量子点短波红外探测器

碲化汞（HgTe）纳米晶体具有可调谐红外吸收光谱、溶液可加工性、低制造成本以及易与硅基电路集成等特点。

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AO8810 TSSOP-8 共漏双n通道增强模场效应晶体管

概述 AO8810/L采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中...

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