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标签 > 场效应晶体管
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
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ROHM推出适用于FA和机器人等工业设备的Pch MOSFET*1/*2产品
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产...
宜普推出氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)EPC2012
宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化...
mos管并联后电流增加多少 如何计算MOS管并联后电流的增加? 在电路中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)被广泛应用于各种各样的电子设备中...
IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电子应用中起着关键的作用。饱和区是...
得益于高集成度和低成本潜力,FET(场效应晶体管)引起了生物传感(例如DNA、蛋白质、病毒检测及pH传感等)应用领域的广泛兴趣。当生物分子与栅极的化学修...
宜普电源转换公司推出两款新一代200 V 氮化镓场效应晶体管
EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大约缩小50%...
工艺技术节点进入亚3 nm以后,垂直鳍片沟道架构的新器件开发仍备受关注,人们正在考虑制造基于垂直鳍式结构开发垂直围栅器件(VGAA)或垂直传输场效应晶体...
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研究人员对硅纳米线Bio-FET进行了制造和表征,如图1a和图2所示,该器件由硅纳米线FET器件和PDMS微流体层构成,尺寸为15mm × 26mm,具...
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研究人员研发了一种用于场效应晶体管(field-effect transistors,FETs)的高性能超薄聚合绝缘体。他们用汽化单体在多种表面成功制备...
EPC推出300W、双向、1/16砖型转换器评估模块——EPC9151
面向高功率密度且低成本的DC/DC转换,EPC9151功率模块利用EPC2152 ePower™功率级实现性能更高和尺寸更小的解决方案。
隧道场效应晶体管 (Tunneling FET, TFET) 比传统的 CMOS 场效应晶体管具有更优异的开关特性,更适用于超低功耗的电路。TEFT ...
宜普电源转换公司推出100V ~ 200V产品系列的EPC2059氮化镓场效应晶体管
宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商,致力提高产品性能且降低可发货的氮化镓晶体管的成本,最新推出EP...
东京—东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布面向超低功率微控制器(MCU)开发采用新工作原理的隧穿场效应晶体管(TFET)。
MOS的三个极怎么判定?是N沟道还是P沟道? MOS是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Ef...
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