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场效应晶体管

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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

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场效应晶体管资讯

未来的晶体管会是什么样？

在比利时安特卫普举行的ITF World 2023上，英特尔技术开发总经理Ann Kelleher概述了英特尔在几个关键领域的最新进展，最有趣的是英特尔...

2023-05-20 标签：晶体管 FET 场效应晶体管 539 0

生物传感器助力血糖监测行业变革

生物传感器（Biosensor）是一种用于检测生物分子并将其浓度转换为可用信号的分析装置，其通常有两个主要组成部分

2023-04-28 标签：热敏电阻信号转换器场效应晶体管 1471 0

全新二维半导体垂直鳍片/高介电自氧化物外延集成架构

工艺技术节点进入亚3 nm以后，垂直鳍片沟道架构的新器件开发仍备受关注，人们正在考虑制造基于垂直鳍式结构开发垂直围栅器件（VGAA）或垂直传输场效应晶体...

2023-03-27 标签：半导体元器件场效应晶体管 1812 0

一种用于检测SARS-CoV-2的还原氧化石墨烯场效应晶体管生物传感器

随着新型冠状病毒（SARS-CoV-2）的传播，对快速、准确检测和筛查新冠病毒肺炎（COVID-19）患者的工具的需求日益增加。

2023-03-27 标签：传感器 FET 场效应晶体管 1126 0

基于硅纳米线场效应晶体管的ALT生物传感器检测平台

频繁检测血清丙氨酸氨基转移酶（ALT）的活性对于预防药物性肝损伤（DILI）至关重要。

2023-03-08 标签：晶体管 Alt 场效应晶体管 967 0

台积电官方对外开放16nm FinFET技术

台积电官网宣布推出大学FinFET专案，目的在于培育未来半导体芯片设计人才并推动全球学术创新。

2023-02-08 标签：台积电晶体管场效应晶体管 453 0

IGBT的模块温度循环及绝缘特性分析

随着我国武器装备系统复杂性提升和功率等级提升，对IGBT模块的需求剧增，IGBT可靠性直接影响装备系统的可靠性。选取同一封装不同材料陶瓷基板的IGBT模...

2023-02-01 标签：IGBT 场效应晶体管陶瓷基板 5089 0

应变硅（Strained Silicon）

根据应变的作用方向差异，应变还可以分为双轴应变（Biaxial Strain，在晶片表面的x和y两个方向上形成相对一致的应力）和单轴应变 (Uniaxi...

2022-11-28 标签：场效应晶体管晶格 8424 0

一种功耗非常低的新型2D晶体管

为了提高隧道开关器件在 ON/OFF 电流比、亚阈值摆幅和 ON 电流密度方面的性能，一些研究试图开发仅使用硅和 III-V 半导体或 2D 半导体的器件。

2022-11-10 标签：三极管晶体管场效应晶体管 1228 0

高迁移率沟道集成电路

隧道场效应晶体管（Tunneling FET, TFET) 比传统的 CMOS 场效应晶体管具有更优异的开关特性，更适用于超低功耗的电路。TEFT ...

2022-09-20 标签：半导体场效应晶体管晶格 1463 0

飞虹N沟道增强型场效应晶体管FHA28N50W可替代ON场效应管品牌

究竟是怎样的场效应管参数才能做到既能适配高频开关电源与逆变电源都经常使用呢？它是具备TO-3PN封装、28A、500V电流、电压的MOS管。

2022-09-13 标签：封装场效应晶体管电荷 3318 0

鳍式场效应晶体管FinFET提高芯片的驱动能力

鳍式场效应晶体管（FinFET）是立体多栅器件的一种，其主要特征是由鱼鳍形（Fin）的薄层硅构成折叠的导电通道，并由双面或三面折叠包围的栅极控制。

2022-09-09 标签：集成电路场效应晶体管 FinFET 2598 0

半导体场效应晶体管

根据沟道掺杂类型的不同，MOSFET分为nMOSFET和pMOSFET两种，两者组合在一起即为互补型MOS（Complementary MOS,CMOS...

2022-09-08 标签：集成电路 MOSFET 场效应晶体管 958 0

讲一讲MOS的概念、工作原理、分类以及相关应用

MOS的英文全称就是MOSFET,其中后缀FET是场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写，FET是利用控制输入回路的电场效应来...

2022-09-05 标签：集成电路 MOSFET MOS管 2.0万 0

什么是GAA FET（环绕栅极场效应晶体管）？

数字芯片最基本单元是MOSFET，其工艺发展到7nm、3nm、2nm，这个半导体工艺尺寸是MOSFET栅极（沟槽）宽度。早期MOSFET使用平面结构，沟...

2022-08-20 标签：MOSFET 导通电阻场效应晶体管 4456 0

简化汽车车身电机控制器设计，快速实现轻量化

降低EMI可通过在芯片级和PCB级的功能和解决方案来实现。降低EMI的一种关键方法是控制脉冲宽度调制（PWM）边沿速率。栅极驱动产品，如用于有刷DC（B...

2022-08-01 标签：电磁干扰场效应晶体管电机控制器 788 0

提高宽带隙功率器件的故障分析精度

在电气领域，漏极和源极之间的漏电流 (I DSS ) 或栅极和源极之间的漏电流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般类别。将故障分析集中在...

2022-07-29 标签：MOSFET 场效应晶体管功率器件 896 0

一种高度灵敏的CD63抗体功能化硅纳米线Bio-FET

研究人员对硅纳米线Bio-FET进行了制造和表征，如图1a和图2所示，该器件由硅纳米线FET器件和PDMS微流体层构成，尺寸为15mm × 26mm，具...

2022-06-08 标签：场效应晶体管纳米线 1690 0

EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管

宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高...

2022-05-17 标签：EPC 场效应晶体管氮化镓 3352 0

UnitedSiC宣布推出行业先进的高性能 1200 V 第四代 SiC FET

中国北京 - 2022 年 5 月 17 日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QR...

2022-05-17 标签：移动应用场效应晶体管 UnitedSiC 2365 0

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