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场效应晶体管

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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

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场效应晶体管栅极电流是多大

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TI全新缓冲放大器可将数据采集系统中的信号带宽提高十倍

德州仪器推出了具有业界超宽带宽的高输入阻抗（Hi-Z）缓冲放大器BUF802，能够支持高达3GHz的频率带宽。

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华为公开“集成电路及其制作方法、场效应晶体管”专利

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2024-04-23 标签：FET 场效应晶体管光电子器件 1182 0

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2023-07-11 标签：场效应晶体管光电探测器 TMD 1177 0

宜普推出用于eGaN场效应晶体管设计的EPC9004开发板

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2011-08-19 标签：场效应晶体管开发板宜普 1166 0

宜普电源转换公司推出两款100V eGaN FET，为业界树立全新性能基准

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2020-09-24 标签：场效应晶体管氮化镓激光雷达 1166 0

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