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标签 > 场效应晶体管
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
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研究人员对硅纳米线Bio-FET进行了制造和表征,如图1a和图2所示,该器件由硅纳米线FET器件和PDMS微流体层构成,尺寸为15mm × 26mm,具...
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管
宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高...
UnitedSiC宣布推出行业先进的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
中国北京 - 2022 年 5 月 17 日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QR...
场效应管(FieldEffectTransistor)又称场效应晶体管,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与...
得益于高集成度和低成本潜力,FET(场效应晶体管)引起了生物传感(例如DNA、蛋白质、病毒检测及pH传感等)应用领域的广泛兴趣。当生物分子与栅极的化学修...
FET栅极驱动器和电源的支持组件集成在栅极驱动器中,从而缩减了串联栅极电阻器、栅极灌电流路径二极管、栅源电压(VGS)钳位二极管、栅极无源下拉电阻器和电...
MOS管涨价最新消息mosfet价格走势长红 Diodes 士兰微等陆续发布涨价通知
受上游晶圆供应紧缺情况的持续影响,近日,国内外多家金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)厂商发布涨价通知,目前已累计四家MOS管厂商已经启动涨价,涨...
EPC推出300W、双向、1/16砖型转换器评估模块——EPC9151
面向高功率密度且低成本的DC/DC转换,EPC9151功率模块利用EPC2152 ePower™功率级实现性能更高和尺寸更小的解决方案。
宜普电源转换公司推出100V ~ 200V产品系列的EPC2059氮化镓场效应晶体管
宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商,致力提高产品性能且降低可发货的氮化镓晶体管的成本,最新推出EP...
TI推出其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET
德州仪器高压电源解决方案副总裁Steve Lambouses表示:“工业和汽车应用日益需要在更小的空间内提供更多的电力,设计人员必须提供能在终端设备长久...
宜普电源转换推出eGaN®FET 98%效率、250W/48V的DC/DC解决方案
EPC9153是一款250 W超薄电源模块,采用简单且低成本的同步降压配置,峰值效率高达98.2%,元件的最大厚度为6.5 毫米。
ROHM推出适用于FA和机器人等工业设备的Pch MOSFET*1/*2产品
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产...
宜普电源转换公司推出两款100V eGaN FET,为业界树立全新性能基准
EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的导通电阻降低了接近20...
宜普电源转换公司推出两款新一代200 V 氮化镓场效应晶体管
EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大约缩小50%...
场效应晶体管有4个部分——1个源极、1个漏极、一个连接这两者的导电通道和一个控制沿通道电流的栅极。由于这些器件被做得更小,人们开始注意到晶体管的性能随着...
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