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场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
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低内阻小节电容发热小中低压MOS大全TO-252 SOT23-3封装 100V MOS管100V 30A 35A 50A 23 23L SOP8 TO-...
调光LED灯MOS管雾化器MOS管HC085N10L参数概述
型号:HC085N10L 参数:100V 15A 类型:N沟道场效应管 内阻71mR 低结电容436pF 封装:贴片(SOT89-3) 低开启电压1...
30V场效应管 N沟道 大电流RGB灯带专用调光MOS管HC3400M介绍
型号:HC3400M 参数:30V 5.8A 类型:N沟道场效应管 内阻27mR(Vgs=10V) 低结电容635pF 封装:SOT23-3 低开启...
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60Vmos管HC080N06LS LED升降压专用 低开启电压1.8V 结电容435PF小体积散热能力强
型号:HC080N06LS 参数:60V 6A 类型:N沟道场效应管 沟槽型 内阻72mR 低结电容435pF 封装:SOT23-3 低开启电压1....
电弧打火机应用100vMOS 打火猛低内阻25N10贴片MOS管 温升低HG021N10L
惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售,性价比高,量产稳定成熟,提供方案及技术支持。 场效应管广泛使用在模拟电路中与数字...
安防监控专用HC606介绍 60V常用低压MOS管6A MOS N沟道小体积散热能力好
型号:HC080N06LS【06N06】 丝印:HC606 参数:60V 6A 类型:N沟道场效应管 沟槽型 内阻72mR 低结电容435pF 封装...
HG5511D参数特性 60V低压MOS 40A结电容低 手机快充专用MOS管
MOS管型号:HG5511D 参数:60V 40A 封装:DFN3333 内阻:11mR(Vgs=10V) 14mR(Vgs=4....
HC030N10L介绍 场效应管100V MOS管100V 30A TO-252 N沟道MOS管
■HC030N10L是一款采用SGT工艺超结MOS管,低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强。...
H012N06L参数特性 替代PAO4264E 贴片MOS管SOP-8
MOS管参数:60V50A 内阻:14mR(VGS=4.5V) 结电容:550pF 类型:SGT工艺NMOS 开启电压:1.8V 封装:TO-252 H...
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