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深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。
近日，由国家能源局主办、深圳市发展改革委承办的2024年推进高质量充电基础设施体系建设座谈会在深圳隆重召开。其中，基本半
随着可再生能源、电动汽车等领域现代电力应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料具有适合高压
为适应公司战略发展需要，经深圳市市场监督管理局核准，深圳基本半导体有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商
2024-11-18 标签： 基本半导体 159 0
近日，基本半导体凭借卓越的产品性能和出色的服务能力，成功荣获深圳市禾望电气股份有限公司（股票代码：603063）颁发的2
近日，基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠
随着新能源汽车产业的蓬勃发展，功率密度的不断提升与服役条件的日趋苛刻给车载功率模块封装技术带来了更严峻的挑战。碳化硅凭借
7月4-5日，由中国汽车工程学会主办的第十六届汽车动力系统技术年会（TMC 2024）在青岛盛大举行。基本半导体携旗下全
充电桩采用碳化硅模块可以增加近30%的输出功率，减少50%的损耗。目前在充电桩领域，碳化硅应用处于快速增长阶段，预计到2
基本半导体碳化硅MOSFET通过车规级认证，为汽车电子注入新动力
近日，中国半导体行业的佼佼者——基本半导体公司，再次在科技领域迈出坚实步伐。该公司自主研发的1200V 80mΩ碳化硅M
相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来越广泛应用
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括来自清华大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院、中国科学院等国内外知名高校及研究机构的十多位博士。
基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试，其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。
基本半导体与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是深圳第三代半导体研究院发起单位之一，广东省未来通信高端器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心，公司及产品荣获2020“科创中国”新锐企业、“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。
随着可再生能源、电动汽车等领域现代电力应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料具有适合高压、大功率应用的优良特性，在650...
随着新能源汽车产业的蓬勃发展，功率密度的不断提升与服役条件的日趋苛刻给车载功率模块封装技术带来了更严峻的挑战。碳化硅凭借其优异的材料特性，成为了下一代车...
相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来越广泛应用于新能源汽车、工业、交通、医疗等...
国芯思辰｜基本半导体650V 20A碳化硅肖特基二极管B1D20065K替代IDH20G65C5应用于PFC电路
PFC电路广泛应用于高频开关电源（特别是通信电源）中。现阶段，PFC电路多采用硅基材料，由于硅基材料的限制，电源的损耗较大，效率偏低。在电源的PFC电路...
国芯思辰｜基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机二次侧整流
车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆...
可靠性，是指产品在规定时间内和条件下完成规定功能的能力，是产品质量的重要指标，如果在规定时间内和条件下产品失去了规定的功能，则称之为产品失效或出现了故障...
浅谈新能源汽车电机控制器的MOSFET B2M065120H应用
基本半导体自2017年开始布局车用碳化硅器件研发和生产，目前已掌握碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装、驱动应用等核心技术，申请两百余项发明专利，产品性能...
基本半导体BGH75N120HF1在高频DC-DC电源转换器的优势
混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT（硅基IGBT与硅基快恢复二...
交流充电桩：本质是一个带控制的插座，主要包含交流电表、控制主板、显示屏、急停旋钮、 交流接触器、充电枪线等结构，结构较为简单，需要车载充电机自己进行变压...
深圳本土第三代半导体科创企业——深圳基本半导体有限公司旗下车规级全碳化硅功率模块（BMB200120P1）荣获优秀技术创新产品奖。
近日，由国家能源局主办、深圳市发展改革委承办的2024年推进高质量充电基础设施体系建设座谈会在深圳隆重召开。其中，基本半导体“高压快充的碳化硅功率器件应...
为适应公司战略发展需要，经深圳市市场监督管理局核准，深圳基本半导体有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商变更登记手续，公司名称正式变更为...
2024-11-18 标签：基本半导体 159 0
近日，基本半导体凭借卓越的产品性能和出色的服务能力，成功荣获深圳市禾望电气股份有限公司（股票代码：603063）颁发的2023年度“最佳合作奖”。这一荣...
近日，基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证，产品性能和可靠性满足汽车...
7月4-5日，由中国汽车工程学会主办的第十六届汽车动力系统技术年会（TMC 2024）在青岛盛大举行。基本半导体携旗下全系汽车级碳化硅功率模块等产品亮相...
充电桩采用碳化硅模块可以增加近30%的输出功率，减少50%的损耗。目前在充电桩领域，碳化硅应用处于快速增长阶段，预计到2025年将提升至35%，市场规模...
基本半导体碳化硅MOSFET通过车规级认证，为汽车电子注入新动力
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基本半导体携多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC国际光伏展
6月13-15日，SNEC第十七届(2024)国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会在国家会展中心(上海)隆重举办。本届展会汇聚了超过3500家全球光...
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| B1D08065E | 直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):21A;正向压降(Vf):1.45V@8A; |
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|
|
| B1D04065F |
获取价格
|
||
| B1D20120H | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):70A;正向压降(Vf):1.46V@20A;反向电流(Ir):6.75uA@1.2kV; |
获取价格
|
|
| B1D10065KF | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):24A;正向压降(Vf):1.48V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; |
获取价格
|
|
| B1D10065E | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):29A;正向压降(Vf):1.44V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; |
获取价格
|
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