多晶硅

硅片形貌效应及其与底部抗反射涂层(BARC)沉积策略关系的解析

硅片形貌效应在光刻工艺中十分重要，特别是在现代集成电路制造中，如FinFET等先进器件结构以及双重图形技术的广泛应用下，硅片表面的微小不平整性对光刻结果...

2024-11-22 标签：多晶硅硅片DPT 322 0

多晶硅栅耗尽效应简述

当栅与衬底之间存在压差时，它们之间存在电场，静电边界条件使多晶硅靠近氧化层界面附近的能带发生弯曲，并且电荷耗尽，从而形成多晶硅栅耗尽区。该耗尽区会在多晶...

2024-08-02 标签：多晶硅静电NMOS 3127 0

浅析多晶硅锭中位错存在的两种来源

根据晶体凝固生长与位错形成、运动与增殖的理论，多晶硅锭中位错存在两种来源：原生和增殖。

2024-03-27 标签：多晶硅 556 0

有了2D NAND，为什么要升级到3D呢？

2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。

2024-03-17 标签：多晶硅NANDFlaSh 1030 0

可以用铝或多晶硅做栅极材料，是什么原因呢？

栅（Gate）是一种控制元件，通常用于场效应晶体管（FET）中，比如金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）等。

2024-03-13 标签：多晶硅MOSFET半导体 1995 0

芯片制造工艺：晶体生长基本流程

从液态的熔融硅中生长单晶硅的及基本技术称为直拉法（Czochralski）。半导体工业中超过90%的单晶硅都是采用这种方法制备的。

2024-03-12 标签：集成电路多晶硅晶体 4296 0

多晶硅的块状破碎过程解析

人工破碎就是工人用碳化钨锤多晶硅棒进行锤击达到粉碎的目的。碳化钨的硬度仅次于钻石，能够保持锋利的边缘和形状，即使在高强度使用下也不容易磨损。

2024-02-27 标签：多晶硅短脉冲放电高压脉冲 1320 0

深度解析finFET设计规则

inFET 技术有几个含义。最重要的是，硅鳍片的高度和宽度尺寸是由制造工艺决定的，而不是由电路设计者决定的。这意味着每个晶体管的宽度尺寸是由栅极多晶硅穿...

2024-02-21 标签：多晶硅晶体管集成芯片 1953 0

什么是离子注入？离子注入的应用介绍

离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度，相较于传统的扩散工艺更为精确。

2024-02-21 标签：多晶硅mems离子注入 5120 0

一文详解MEMS高温压力传感器

高温压力传感器广泛应用于工业、航空航天等领域，用来监测航空发动机、重型燃气轮机、燃煤燃气锅炉等动力设备燃烧室内的压力，耐高温和高可靠性是对其最基本的要求。

2024-01-23 标签：多晶硅mems压力传感器 4691 0

上海交大梁正：探究表面杂原子对硅烷解离影响

多晶硅（polysilicon）是太阳能电池、储能设备和半导体领域中广泛使用的关键材料。

2024-01-23 标签：太阳能电池多晶硅半导体 826 0

硅的形态与沉积方式

优化硅的形态与沉积方式是半导体和MEMS工艺的关键，LPCVD和APCVD为常见的硅沉积技术。

2024-01-22 标签：多晶硅半导体mems 3079 0

硅的电阻率和方阻测定和使用问题解析

在MEMS器件设计过程中电学性能是重中之重。MEMS大多数由衬底、介质层和金属层组成，硅衬底、多晶硅和金属均与电学性能密不可分。

2024-01-13 标签：多晶硅硅晶圆MEMS器件 4391 0

光伏发电原理和光伏电池片技术详解

光伏电池片领域降本增效是推动光伏产业不断发展的内在牵引力，其中以提升光电转换效率为目标的光伏电池片技术变革是推动降本增效的关键举措之一。

2023-12-28 标签：多晶硅光伏电池光伏 2.6万 0

多晶硅的刻蚀机理介绍

SEMI-e 第六届深圳国际半导体技术暨应用展览会将持续关注产业核心技术和发展前沿，向20多个应用领域提供一站式采购与技术交流平台。

2023-12-25 标签：多晶硅MOSFET功率器件 2238 0

半导体行业之晶体生长和硅片准备（一）

在接下来的一个章节里面，我们将主要介绍用砂子制备半导体级硅的方法，以及后续如何将其转化为晶体和晶圆片(材料制备阶段)，以及如何来生产抛光晶圆的过程(晶体...

2023-12-18 标签：多晶硅半导体晶圆 681 0

IGBT中的MOS结构—阈值电压（下）

上一节我们讨论了栅极与半导体材料之间的功函数差，本节我们讨论绝缘层电荷的影响。

2023-11-29 标签：多晶硅半导体IGBT 2857 0

IGBT中的MOS结构—阈值电压（上）

MOS之所以能够以电压控制，并起到开关的作用，正是由于上述反型层的机制

2023-11-29 标签：多晶硅IGBTMOS 4242 0