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安世半导体

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　安世半导体（中国）有限公司于2000年01月28日成立。法定代表人容诗宗，公司经营范围包括：研究、设计、开发和测试半导体技术软件、集成电路、电子元配件和其他电子产品；生产和销售半导体、新型电子元器件：片式元器件（微小型表面贴装元器件：片式二极管、片式三极管）；销售自产产品。

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安世半导体技术

安世半导体恒定电流LED驱动器介绍经济高效、可靠

Nexperia（安世半导体）的线性恒定电流 LED 驱动器是一种简单可靠的解决方案，它可以驱动高达 250 mA 的功率 LED，因此能够支持不断增...

2021-02-17 标签：led 驱动器 led驱动器 4912 0

要提高功率密度，除改进晶圆技术之外，还要提升封装性能

安世半导体发布了LFPAK88，这是一款8mm x 8mm封装，针对较高功率的应用而设计，可取代体积更大的D²PAK和D²PAK-7封装。

2019-11-21 标签：晶圆封装 LFPAK 2469 0

48V系统中更智能的BMS设计方案教您降本增效

48V电池系统，常见于两轮电动车和轻度混合动力电动车(MHEV)，配备了48V的储能单元，用于捕获再生能量并为车辆的48V电子系统提供动力。这一系统的核...

2024-03-27 标签：电池管理系统 bms Nexperia 2141 0

半导体器件散热性能的仿真实验

为了满足应用的散热要求，设计人员需要比较不同半导体封装类型的热特性。在本博客中， Nexperia(安世半导体)讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道...

2023-09-07 标签：封装仿真散热性能 987 0

安世半导体与三菱电机建立战略合作伙伴关系

两家公司宣布，安世半导体与三菱电机株式会社已建立战略合作伙伴关系，共同开发SiC MOSFET。为了满足对高效分立功率半导体日益增长的需求，并提高SiC...

2023-11-15 标签：半导体三菱电机功率半导体 907 0

IGBTs给高功率带来了更多的选择

绝缘栅双极性晶体管（IGBT）面市已有些时日，事实上，通用电气（GE）早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压（...

2023-07-20 标签：IGBT 晶体管 SiC 815 0

安世半导体P沟道LFPAK56 MOSFET特性概述

Nexperia（安世半导体）将向您展示H桥直流电机控制电路参考设计。 H桥电路是一个全桥DC-DC转换器，支持有刷直流电动机（最大电压48 V、最小电...

2024-07-25 标签：MOSFET 安世半导体 688 0

安世|如何选择符合应用散热要求的半导体封装

焊线封装器件中的主要散热通道是从结参考点到印刷电路板（PCB）上的焊点，如图1所示。按照一阶近似的简单算法，次要功耗通道的影响（如图所示）在热阻计算中可...

2023-09-22 标签：PCB 印刷电路板封装 618 0

安世半导体IGBT模块赋能马达驱动应用

近年来，我国年工业生产总值不断提高，但能耗比却居高不下，高能耗比已成为制约我国经济发展的瓶颈

2023-10-19 标签：变频器 IGBT 晶体管 441 0

安世半导体IGBT模块赋能马达驱动应用

近年来，我国年工业生产总值不断提高，但能耗比却居高不下，高能耗比已成为制约我国经济发展的瓶颈，为此国家投入大量资金支持节能降耗项目，变频调速技术已越来越...

2023-10-27 标签：IGBT 晶体管马达 434 0

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