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标签 > 宽带隙半导体
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氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势
设计出色功效的电子应用时,需要考虑使用新型高性能氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术的器件。与电子开关使用的传统硅解决方案相比,这些新型宽带隙技术具有...
宽带隙半导体是一种具有宽带隙的半导体材料,其特性是具有较宽的能带隙,可以吸收和发射更多的光子,从而提高半导体器件的效率。它广泛应用于太阳能电池、激光...
Nexperia斥资2亿美元加速汉堡工厂宽带隙(WBG)半导体研发与生产
全球领先的半导体制造商Nexperia今日宣布将投入高达2亿美元(折合约1.84亿欧元)的资金,以显著扩大其位于德国汉堡工厂的宽带隙(WBG)半导体研究...
宽带隙(WBG)半导体助力可持续电动汽车电源转换,顶部冷却(TSC)技术提升热性能
现如今,全球移动出行领域正处于一个重大转变之中,电动汽车(EV)销量激增,各国政府和消费者也在努力低碳出行减轻气候变化的影响,预计到2030年,电动汽车...
宽带隙半导体可实现高压(10kv及以上)开关。因此,需要新的封装解决方案来为此类设备奠定的基础。金属化陶瓷基板是一种众所周知且成熟的技术,...
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