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宽带隙半导体

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宽带隙半导体技术

WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的栅极驱动器电源必须满足这些宽带隙半导体的独特偏置要求。本文将讨论在 SiC 和 GaN 应用中设计栅极驱...

2024-09-27 标签：驱动器 SiC GaN 712 0

直流电能计量的应用和解决方案

在基于宽带隙半导体（例如GaN和SiC器件）的高效经济型功率转换技术发展的推动下，许多应用现在都看到了转换为直流电能的好处。因此，精确的直流电能计量变得...

2024-08-21 标签：电动汽车半导体电能计量 1309 0

宽带隙半导体重塑交通运输行业

作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美编辑整个交通运输行业正在经历一场彻底的变革，内燃机 (ICE) 汽车逐渐让位于污染更少的电动汽车...

2024-02-13 标签：二极管半导体 SiC 995 0

功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项

本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被...

2023-11-27 标签：半导体栅极电阻功率逆变器 428 0

功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时栅极电阻选型注意事项

2023-11-23 标签：栅极电阻半导体器件功率逆变器 567 0

氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势

设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的器件。与电子开关使用的传统硅解决方案相比，这些新型宽带隙技术具有...

2023-10-12 标签：SiC 氮化镓电子开关 2292 1

利用宽带隙半导体和数字控制设计更有效的功率因数校正电路

作者：Jeff Shepard 为了最大限度地提高交流市电供电设备（包括 AC/DC 电源、电池充电器、基于电池的储能系统、电机驱动器和不间断电源）的效...

2023-10-03 标签：半导体功率因数电源转换器 971 0

宽带隙半导体器件用作电子开关的优势

2023-09-21 标签：半导体 SiC 电子开关 648 0

导入宽带隙半导体满足高瓦数电源供应需求

益登科技 300W 电源解决方案采用以 SiC/GaN 为材料的 MOSFET 和肖特基势垒二极管，以降低开关损耗和恢复损耗，搭配 PFC 和 LLC ...

2023-06-02 标签：半导体功率器件数字控制器 407 0

宽带隙半导体技术应用和发展

　　宽带隙半导体是一种具有宽带隙的半导体材料，其特性是具有较宽的能带隙，可以吸收和发射更多的光子，从而提高半导体器件的效率。它广泛应用于太阳能电池、激光...

2023-02-16 标签：太阳能半导体电池 1341 0

宽带隙和超宽带隙半导体技术介绍

用于光电子和电子的宽带隙和超宽带隙半导体

2022-12-22 标签：光电子宽带隙器件宽带隙半导体 938 0

宽带隙半导体技术为实现更高效功率转换打开大门

电动车是车轮上的数据中心，具有工业规模的电动机控制（图1），它的可行性取决于牵引逆变器和充电电路的效率。效率每提高一个百分点都能促进散热需求降低、重量减...

2022-09-29 标签：半导体宽带 UnitedSiC 1147 0

分析用于电力电子的宽带隙半导体

使用宽带隙半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义，它们具有更大的带隙，因此各种电子设备可以在高电压、高温和高频率下工作。碳化硅（SiC）...

2022-07-29 标签：MOSFET 半导体 SiC 1769 0

分析宽带隙半导体的计算模型

了解半导体价带和导带的形成机制对于新材料生产的潜在技术影响至关重要。这项工作提出了一种宽带隙计算模型，突出了理解能带结构的理论困难，然后将其与实验数据进...

2022-07-29 标签：半导体计算模型碳化硅 1141 0

宽带隙半导体GaN、ZnO和SiC的湿法化学腐蚀

宽带隙半导体具有许多特性，这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀，即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HN...

2022-07-06 标签：半导体 SiC 蚀刻 2222 0

半导体功率转换拓扑架构和挑战宽带隙半导体的技术进展

功率转换器设计者的终极目标是以最高效率将来自配电系统（公用事业AC或DC汇流排）电压转换为不同DC或AC电平。

2021-03-08 标签：意法半导体宽带隙器件宽带隙半导体 4254 0

宽带隙半导体开关：缓慢的开关沿可减少过冲和EMI

在宽带隙半导体开关的新时代，器件类型的选择包括具有自己的特性并声称具有最佳性能的SiC MOSFET和GaN HEMT单元。但是，这两者都不是理想的开关...

2021-03-18 标签：电容器 MOSFET 缓冲器 7759 0

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　Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单极器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数
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