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宽带隙半导体

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宽带隙半导体资讯

Nexperia斥资2亿美元加速汉堡工厂宽带隙（WBG）半导体研发与生产

全球领先的半导体制造商Nexperia今日宣布将投入高达2亿美元(折合约1.84亿欧元)的资金，以显著扩大其位于德国汉堡工厂的宽带隙(WBG)半导体研究...

2024-07-15 标签：电动汽车半导体宽带隙半导体 278 0

宽带隙(WBG)半导体助力可持续电动汽车电源转换，顶部冷却(TSC)技术提升热性能

现如今，全球移动出行领域正处于一个重大转变之中，电动汽车(EV)销量激增，各国政府和消费者也在努力低碳出行减轻气候变化的影响，预计到2030年，电动汽车...

2024-06-27 标签：电动汽车电源 SiC 495 0

新的宽带隙半导体技术提高了功率转换效率

2023-11-30 标签：半导体功率转换宽带隙半导体 454 0

如何赋能新一代宽带隙半导体？这三类隔离栅极驱动器了解一下~

在电力电子领域，为了最大限度地降低开关损耗，通常希望开关时间短。然而快速开关同时隐藏了高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，必须设计更高...

2023-11-17 标签：亚德诺宽带隙半导体 608 0

为什么说这两种宽带隙半导体将成为数据中心电源系统的新宠？

数据中心在日益数字化、互联化和虚拟化的世界中发挥着关键和重要的作用。由于数据中心有巨大的能源需求，因此需要能够减少电力损失、提高效率和加强热控制的电源解...

2023-10-04 标签：得捷电子宽带隙半导体 475 0

在航天和卫星动力系统中使用宽带隙半导体要克服三个关键的挑战

宽带隙 (WBG) 半导体在电源转换方面具备几个优势，如功率密度和效率更高，同时可通过允许使用更小无源元器件的高频开关，减少系统尺寸和重量。这些优势在航...

2023-09-20 标签：得捷电子宽带隙半导体 476 0

宽带隙半导体封装用于高压来突出陶瓷基板

宽带隙半导体可实现高压（10kv及以上）开关。因此，需要新的封装解决方案来为此类设备奠定的基础。金属化陶瓷基板是一种众所周知且成熟的技术，...

2022-09-19 标签：半导体封装陶瓷基板宽带隙半导体 613 0

宽带隙半导体为通向太空铺平道路

自硅问世以来，宽带隙半导体，如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被证明是电力电子领域最有前途的材料。与传统的硅基技术相比，这些材料具有多个优势...

2022-08-08 标签：半导体 GaN 宽带隙半导体 1383 0

宽带隙半导体提高新型功率器件的效率

效率是所有工业部门的驱动力，包括消费部门。在电子系统中，效率会导致性能限制以及使用寿命缩短。然而，更高的效率推动行业朝着更高的功率密度发展，并有可能拥有...

2022-08-08 标签：半导体功率器件宽带隙半导体 690 0

宽带隙半导体：到电动汽车及以后

在电力电子领域，硅在过去的 40 年中已成为主流技术；今天，硅功率晶体管和二极管是如此普遍和普遍，以这种材料为基础的设备在我们的生活中无处不在。这种采用...

2022-08-05 标签：电动汽车转换器半导体 855 0

宽带隙半导体：GaN 和 SiC 的下一波浪潮

AspenCore 的 2021 年 PowerUP 博览会 用一整天的时间介绍宽带隙 (WBG) 半导体，特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC...

2022-07-29 标签：半导体 SiC GaN 532 0

碳化硅宽带隙半导体有什么好处

宽带隙 (WBG) 半导体极大地影响了使用它们的设备的可能性。材料的带隙是指电子从半导体价带的最高占据态移动到导带的最低未占据态所需的能量。

2022-07-29 标签：半导体 SiC 碳化硅 1916 0

碳化硅和氮化镓等宽带隙半导体推动汽车电气化

碳化硅和氮化镓等宽带隙功率半导体可减小组件尺寸、提高效率并改善混合动力和全电动汽车的性能。现在越来越多的汽车制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片...

2022-07-29 标签：电动汽车氮化镓碳化硅 596 0

用于电动汽车的宽带隙半导体

我们与 ROHM Semiconductor 的电源系统总监 Aly Mashaly 就这个不断增长的市场进行了交谈。使用电力驱动的车辆而不是化石燃料...

2022-07-28 标签：电动车半导体功率器件 639 0

宽带隙半导体终结了硅的主导地位

宽带隙 (WBG) 半导体，例如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已经终结了硅在电力电子领域的主导地位。自硅问世以来，WBG 半导体被证明是电力...

2022-07-27 标签：半导体 FET 碳化硅 1603 0

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　Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单极器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数
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