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宽禁带

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宽禁带技术

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2024-08-14 标签:测试半导体宽禁带 277 0

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功率循环加速老化试验中,IGBT 器件失效模式 主要为键合线失效或焊料老化,失效模式可能存在 多个影响因素,如封装材料、器件结构以及试验条 件等。

2024-04-18 标签:IGBT晶体管宽禁带 896 0

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氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料,在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以...

2023-12-27 标签:半导体氮化镓碳化硅半导体 1665 0

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传统模块封装使用的敷铜陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二维平面上布局,电流回路面积大,杂散电感参数大。CPES...

2023-08-14 标签:pcb功率器件SiC 656 0

浅谈伺服驱动技术未来开发趋势

总体来看,伺服驱动系统的发展趋势是:体积减小,质量减轻,并提升了最高转矩、转速;提高响应性,缩短调整时间;提高了整定性能,使调谐趋于简单便利;提高了扩展...

2023-02-15 标签:伺服驱动宽禁带 769 0

氮化镓和碳化硅MOSFET应用建议以及碳化硅二极管应用领域

碳化硅作为宽禁带化合物半导体材料,具有比传统硅材料更加优异的性能,尤其是用于功率转换和控制的功率器件。与传统硅器件相比,碳化硅具有禁带宽度宽、耐高温、耐...

2023-02-03 标签:功率器件碳化硅宽禁带 1059 0

碳化硅在车用逆变器的妙用

碳化硅作为宽禁带化合物半导体材料,具有比传统硅材料更加优异的性能,尤其是用于功率转换和控制的功率器件。与传统硅器件相比,碳化硅具有禁带宽度宽、耐高温、耐...

2023-02-03 标签:硅材料碳化硅宽禁带 964 0

碳化硅二极管优势有哪些?

碳化硅二极管的优势   1.宽禁带提高了工作温度和可靠性   宽禁带材料可提高器件的工作温度,6H-SiC和4H-SiC禁带宽度分别高...

2023-02-03 标签:功率器件SiC宽禁带 610 0

金刚石凭什么那么强大?

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说起“Diamond”给人第一印象是什么? 无疑是高贵优雅,晶莹剔透,尤其对于女性来说钻石是充满诱惑的,正如1948年戴比尔斯经典广告所宣传“Th...

2023-02-02 标签:金刚石半导体器件宽禁带 785 0

硅基器件与宽禁带器件的区别

固体中电子的能量分布是离散的,电子都分布在不连续的能带(Energy Band)上,价电子所在能带与自由电子所在能带之间的间隙称为禁带宽度(Energy...

2022-10-17 标签:半导体热导率宽禁带 1893 0

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2024英飞凌宽禁带论坛倒计时丨多款创新产品首次亮相

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7月9日,英飞凌将于2024慕尼黑上海电子展期间在上海举办“2024英飞凌宽禁带论坛”。论坛主题将聚焦于新材料、新应用的最新发展成果,与行业伙伴一道深入...

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光谷诞生全球集成度最高光电芯片

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2024-04-11 标签:MOSFET无源器件碳化硅 649 0

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近日,全球宽禁带领域的领军企业意法半导体(ST)在深圳和上海两地成功举办了宽禁带研讨会,受到电力和能源领域专业嘉宾的热烈追捧。

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主办单位:英飞凌科技(中国)有限公司协办单位:慕尼黑展览(上海)有限公司合作媒体:世纪电源网、电源网:7月11日:上海国家会展中心伴随科技高速发展,随之...

2023-06-30 标签:英飞凌宽禁带 726 0

什么是宽禁带半导体?

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第95期什么是宽禁带半导体?半导体迄今为止共经历了三个发展阶段:第一代半导体以硅(Si)、锗(Ge)为代表;第二代半导体以砷化镓(GaAs)、磷化铟(I...

2023-05-06 标签:半导体宽禁带 3938 0

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