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标签 > 宽禁带半导体

宽禁带半导体

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文章:88 视频:2 浏览:8083 帖子:1

宽禁带半导体技术

宽禁带半导体材料有哪些

宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度(Eg>2.3eV)的半导体材料。这类材料具有许多独特的物理和化学性质,使其在许多高科技领域具有广泛的应用。 在现...

2024-07-31 标签:激光器电子器件半导体材料 1046 0

驱动SiC MOSFET有多容易?

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得益于宽禁带半导体的材料优势,SiCMOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiCMOSFET很多性能与传统Si基器件不同,对驱动设计也提出了更高...

2024-07-12 标签:MOSFET驱动SiC 257 0

氮化镓是什么结构的材料

氮化镓(GaN)是一种重要的宽禁带半导体材料,其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构: 氮化镓...

2024-01-10 标签:氮化镓金属晶格 3316 0

碳化硅肖特基二极管的优势和应用领域

在当今快速发展的电力电子领域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有...

2023-12-29 标签:肖特基二极管碳化硅宽禁带半导体 664 0

碳化硅功率器件的电气性能优势

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SiC材料具有两倍于Si的电子饱和速度,使得SiC 器件具有极低的导通电阻(1/100 于Si),导通损耗低;SiC材料具有3倍于Si 的禁带宽度,泄漏...

2023-12-20 标签:二极管功率器件氮化镓 440 0

浅谈英飞凌的碳化硅SiC战略

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在汽车和可再生能源领域,英飞凌已经获得了重大的设计胜利,相关客户的约10亿欧元的预付款将有望在2024年和2025年的财政年度为其自由现金流做出贡献。英...

2023-11-27 标签:英飞凌SiCGaN 369 0

关于对碳化硅误解的描述

碳化硅晶圆是晶体通过切割,粗磨,精磨,粗抛,精抛等工艺加工成型的单晶晶圆。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的温度和更多的精力来加工和结晶。因此...

2023-09-22 标签:MOSFETIGBT硅晶圆 300 0

氮化镓(GaN)技术创新概况 氮化镓衬底技术是什么

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氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料,禁带宽度大于2.3eV,也称为宽禁带半导体材料 ➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表,是研制微电...

2023-09-04 标签:半导体材料氮化镓GaN 918 0

手性光子源芯片开创量子态操控和传输的新路径

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光子是量子力学的基本粒子之一。对光量子态的有效操控和调制,是量子计算、量子保密通信等应用的基石。手性光子源可以在光源芯片内实现对光量子态的原位调制,有利...

2023-08-21 标签:存储器显微镜量子计算 457 0

芯塔电子发布自主研发1700V/5Ω SiC MOSFET产品

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芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能,使之...

2023-08-16 标签:MOSFET功率器件SiC MOSFET 572 0

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克服碳化硅制造挑战,助力未来电力电子应用

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几十年来,硅(Si)一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件,无处不在。然而,随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展,硅的局限...

2024-10-24 标签:电力电子SiCGaN 181 0

镓仁半导体完成近亿元Pre-A轮融资

杭州镓仁半导体有限公司近日宣布成功完成近亿元的Pre-A轮融资,同时与杭州银行达成重要战略合作。本轮融资由九智资本领投,普华资本鼎力参与,彰显了资本市场...

2024-08-12 标签:半导体宽禁带半导体 583 0

开关损耗更低、效率更高,增速超越SiC,GaN开始进军光储、家电市场

电子发烧友网报道(文/黄山明)随着以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料被推出以后,因其优秀的特性,迅速在多种电力电子设备中应用。目前来看,GaN已经在...

2024-07-04 标签:SiCGaN宽禁带半导体 4437 0

西安电子科技大学马晓华团队:蹚出宽禁带半导体技术创新之路

来源:西安电子科技大学 6月24日,2023年度国家科学技术奖在京揭晓,共评选出250个项目和12名科技专家。其中,国家最高科学技术奖2人,国家自然科学...

2024-07-02 标签:宽禁带半导体 392 0

8英寸SiC投产进展加速,2025年上量

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电子发烧友网报道(文/梁浩斌)闻泰科技旗下安世半导体近日宣布,计划投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品,包括SiC和GaN。与此同时,安世半导体的第一...

2024-07-01 标签:功率器件SiC宽禁带半导体 1.9万 0

安世半导体斥资2亿美元扩产德国基地,聚焦宽禁带半导体技术

在全球半导体产业日新月异的今天,芯片制造商Nexperia(安世半导体)再次展现了其前瞻性的战略布局。近日,该公司宣布将投资高达2亿美元,用于在德国汉堡...

2024-06-29 标签:SiC宽禁带半导体安世半导体 541 0

安世半导体宣布2亿美元投资,加速宽禁带半导体研发与生产

在全球半导体市场日新月异的今天,荷兰半导体制造商Nexperia(安世半导体)近日迈出了重大的一步。这家以技术创新和产品质量著称的公司宣布,计划投资高达...

2024-06-28 标签:碳化硅宽禁带半导体安世半导体 591 0

安世半导体Nexperia将在汉堡投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)

半导体制造商Nexperia(安世半导体)近日宣布,计划投资2亿美元(约合1.84亿欧元)研发下一代宽禁带半导体产品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮...

2024-06-28 标签:SiC碳化硅Nexperia 883 0

安世半导体受邀参加2024第三代半导体技术与产业链创新发展论坛

在高频高压应用领域,宽禁带材料不可替代的优势正在加速相关产品的研发与落地应用。制造技术的进步,也让其成本更有竞争力。需求拉动叠加成本降低,宽禁带半导体的...

2024-06-19 标签:MOSFET宽禁带半导体安世半导体 891 0

注册开放,抢占坐席 | 英飞凌宽禁带论坛全日程首发

注册开放,抢占坐席 | 英飞凌宽禁带论坛全日程首发

当今,气候变化与如何应对持续增长的能源需求已经成为人类面临的共同挑战,而宽禁带半导体高度契合节能减排需求,并在能源转型中为减缓气候变化做出重要贡献。以碳...

2024-06-18 标签:英飞凌能源宽禁带半导体 359 0

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