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宽禁带半导体

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宽禁带半导体技术

半导体材料Si、SiC和GaN 优势及瓶颈分析

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作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。

2020-09-11 标签：SiC GaN 半导体器件 1.2万 0

什么是宽禁带半导体？

什么是宽禁带半导体？

半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代...

2023-05-05 标签：SiC 氮化镓 GaN 1.0万 0

宽禁带半导体是什么？

宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料，是继GaAs、InP之后的第三代半导体材料。半导体材料的禁带宽度越大，对应电子跃迁...

2023-02-02 标签：半导体 GaAs 宽禁带半导体 8670 0

什么是GaN氮化镓？GaN有何优势？

GaN：由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。

2023-03-22 标签：氮化镓碳化硅宽禁带半导体 6673 0

碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么碳化硅技术壁垒有哪些

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碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么碳化硅技术壁垒有哪些碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术...

2023-02-03 标签：SiC 衬底碳化硅 4454 0

第四代宽禁带半导体材料——氮化镓

第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料；第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料

2023-02-23 标签：射频器件氧化镓宽禁带半导体 4206 0

氧化镓的性能、应用和成本氧化镓的应用领域

我国的氧化镓衬底能够小批量供应，外延、器件环节产业化进程几乎空白，研发主力军和突出成果都在高校和科研院所当中。

2023-02-22 标签：碳化硅氧化镓宽禁带半导体 3620 0

氮化镓是什么结构的材料

氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。结构：氮化镓...

2024-01-10 标签：氮化镓金属晶格 3426 0

半导体技术的应用半导体技术的未来发展

晶体管收音机比电子管收音机小多了，可以随身携带。但它是由晶体管、电阻、电容、磁性天线焊在一块电路板上，相互之间由导线相连。体积还比较大，装配工艺复杂。

2022-10-11 标签：无线通信晶体管太阳电池 3344 0

硫化锌宽禁带材料的光学性能及其影响因素

不同方法制备ZnS材料的光学性能差别较大。CVT制备技术采用ZnS粉末原料和气体输运剂如HCl、NH4Cl或I2等，易在ZnS晶体中引入不同程度的杂质缺...

2022-07-07 标签：宽禁带半导体 3312 0

宽禁带半导体帖子

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三极管具有什么特性？

标签：三极管宽禁带半导体 1991 1

宽禁带半导体资料下载

什么是第三代半导体及宽禁带半导体立即下载

类别：电子资料 2023-02-27 标签：半导体宽禁带半导体第三代半导体 520 0

宽禁带半导体资讯

8英寸SiC投产进展加速，2025年上量

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电子发烧友网报道（文/梁浩斌）闻泰科技旗下安世半导体近日宣布，计划投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品，包括SiC和GaN。与此同时，安世半导体的第一...

2024-07-01 标签：功率器件 SiC 宽禁带半导体 2.1万 0

第三代半导体技术、应用、市场全解析

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宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于...

2016-12-05 标签：半导体 SiC 宽禁带半导体 4750 0

开关损耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN开始进军光储、家电市场

电子发烧友网报道（文/黄山明）随着以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料被推出以后，因其优秀的特性，迅速在多种电力电子设备中应用。目前来看，GaN已经在...

2024-07-04 标签：SiC GaN 宽禁带半导体 4485 0

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准评审会顺利召开

　　12月11日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）团体标准评审会在北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层会议室顺利召开。此次评审...

2017-12-13 标签：宽禁带半导体 4150 0

驾驭狼的速度，泰克与忱芯强强联手解决宽禁带半导体测试难题

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泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟，双方将深度整合资源，优势互补，围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作，为客户解决宽禁带半导体测试挑战。

2021-11-08 标签：示波器泰克连接器 3935 0

日企市场份额占比超9成，国内第四代半导体材料加速突破

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电子发烧友网报道（文/梁浩斌）最近国内关于第四代半导体的消息很多，特别是在材料制备方面似乎有不少新突破。我们熟知的碳化硅、氮化镓等第三代半导体又被称为宽...

2023-03-27 标签：氮化镓行业现状宽禁带半导体 3450 0

浅谈宽禁带半导体行业概况

对于宽禁带半导体行业目前概况，吕凌志博士直言，宽禁带半导体行业主要有衬底、外延、器件三大段，由于每部分的物态形式、设备控制都不一样，要想做好这个行业的M...

2022-07-05 标签：智能制造宽禁带半导体半导体设备 3400 0

国内家电市场年需电机超10亿台 BLDC电机渗透率有望持续提升

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电子发烧友网报道（文/程文智）随着高能效电机在汽车、农业、空调和洗衣机等领域的广泛使用，全球的电机市场得到了很大的增长。据MarketsandMarke...

2021-11-21 标签：SiC GaN 宽禁带半导体 2648 0

资料大放送 | 2020英飞凌电源与传感系统云端大会完美收官！

无论是开关电源、拓扑设计、宽禁带半导体、两轮车电气化、高效储能、5G电源等无处不在的基础功率技术，还是智能楼宇、智能家居、雷达感知、语音交互等先锋创新的...

2020-09-16 标签：英飞凌开关电源传感系统 2507 0

GaN加速商业化进程国内GaN产业市场现状及前景分析

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氮化镓（GaN）是一种由氮和镓组成的半导体材料，因其禁带宽度大于2.2eV，故又称为宽禁带半导体材料。是微波功率晶体管的优良材料，也是在蓝色发光器件中具...

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宽禁带半导体数据手册

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